Qual é o princípio de funcionamento do MOSFET?

Título MOSFET (abreviatura FieldEffect Transistor (FET))MOSFET. por um pequeno número de portadoras para participar da condutividade térmica, também conhecida como transistor de junção multipolar. É classificado como um dispositivo semi-supercondutor controlado por tensão. A resistência de saída existente é alta (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), baixo ruído, baixo consumo de energia, faixa estática, fácil de integrar, nenhum fenômeno de segunda avaria, a tarefa de seguro do mar amplo e outras vantagens, agora mudou o transistor de junção bipolar e transistor de junção de potência dos colaboradores fortes.

Características MOSFET

Primeiro: MOSFET é um dispositivo de controle de tensão, através do VGS (gate source voltage) para master ID (dreno DC);

Segundo:MOSFETsa saída DC é muito pequena, portanto sua resistência de saída é muito grande.

Três: são aplicados alguns transportadores para conduzir o calor e, portanto, tem uma melhor medida de estabilidade;

Quatro: consiste em um caminho reduzido de redução elétrica de pequenos coeficientes para ser menor que o transistor consiste em um caminho reduzido de redução elétrica de pequenos coeficientes;

Quinto: poder anti-irradiação MOSFET;

Seis: porque não há atividade defeituosa da dispersão minoritária causada por partículas dispersas de ruído, porque o ruído é baixo.

Princípio da tarefa MOSFET

MOSFETprincípio da tarefa em uma frase, ou seja, "dreno - fonte caminha através do canal entre o ID, com o eletrodo e o canal entre o pn construído em uma tensão de eletrodo de polarização reversa para dominar o ID". Mais precisamente, a amplitude do ID ao longo do circuito, ou seja, a área da seção transversal do canal, é pela variação contra-viesada da junção pn, a ocorrência da camada de depleção para expandir a variação do domínio da razão. No mar não saturado de VGS=0, a expansão da camada de transição indicada não é muito grande porque, de acordo com o campo magnético do VDS adicionado entre o dreno-fonte, alguns elétrons no mar fonte são puxados pelo dreno , ou seja, há uma atividade DC ID do dreno até a origem. A camada moderada que se expande da comporta até o dreno formará um tipo de bloqueio de todo o corpo do canal, ID cheio. Consulte esse padrão como pinçamento. Isso simboliza que a camada de transição obstrui todo o canal, e não é que o DC esteja cortado.

Na camada de transição, porque não há automovimento de elétrons e buracos, na forma real das características isolantes da existência da corrente DC geral é difícil se mover. No entanto, o campo magnético entre o dreno - fonte, na prática, as duas camadas de transição entram em contato com o dreno e o pólo da porta inferior esquerdo, porque o campo magnético de deriva puxa os elétrons de alta velocidade através da camada de transição. Porque a força do campo magnético de deriva simplesmente não altera a plenitude da cena ID. Em segundo lugar, VGS para a mudança de posição negativa, de modo que VGS = VGS (desligado), então a camada de transição muda amplamente a forma de cobrir todo o mar. E o campo magnético do VDS é amplamente adicionado à camada de transição, o campo magnético que puxa o elétron para a posição de deriva, desde que próximo ao pólo da fonte do muito curto, o que é mais para que a energia DC não seja capaz de estagnar.