O que é um MOSFET? Quais são os principais parâmetros?

Ao projetar uma fonte de alimentação chaveada ou circuito de acionamento de motor usandoMOSFETs, fatores como resistência de ligação, tensão máxima e corrente máxima do MOS são geralmente considerados.

Os tubos MOSFET são um tipo de FET que pode ser fabricado como tipo de aprimoramento ou depleção, canal P ou canal N para um total de 4 tipos. NMOSFETs de aprimoramento e PMOSFETs de aprimoramento são geralmente usados, e esses dois são geralmente mencionados.

Esses dois são mais comumente usados ​​​​em NMOS. a razão é que a resistência condutiva é pequena e fácil de fabricar. Portanto, o NMOS é geralmente usado em aplicações de comutação de fontes de alimentação e acionamento de motores.

Dentro do MOSFET, um tiristor é colocado entre o dreno e a fonte, o que é muito importante no acionamento de cargas indutivas, como motores, e só está presente em um único MOSFET, geralmente não em um chip de circuito integrado.

Existe capacitância parasita entre os três pinos do MOSFET, não que precisemos dela, mas devido a limitações do processo de fabricação. A presença de capacitância parasita torna mais complicado projetar ou selecionar um circuito de acionamento, mas não pode ser evitado.

Os principais parâmetros deMOSFET

1, tensão aberta VT

Tensão aberta (também conhecida como tensão limite): de modo que a tensão da porta necessária para começar a formar um canal condutor entre a fonte S e o dreno D; MOSFET de canal N padrão, VT é de cerca de 3 ~ 6V; através de melhorias no processo, o valor do MOSFET VT pode ser reduzido para 2 ~ 3V.

2, resistência de entrada CC RGS

A relação entre a tensão adicionada entre o pólo fonte da porta e a corrente da porta. Esta característica às vezes é expressa pela corrente da porta fluindo através da porta, o RGS do MOSFET pode facilmente exceder 1010Ω.

3. Tensão BVDS de ruptura da fonte de drenagem.

Sob a condição de VGS = 0 (aprimorado), no processo de aumento da tensão dreno-fonte, ID aumenta acentuadamente quando o VDS é chamado de tensão de ruptura dreno-fonte BVDS, ID aumenta acentuadamente devido a dois motivos: (1) avalanche quebra da camada de depleção perto do dreno, (2) quebra de penetração entre os pólos do dreno e da fonte, alguns MOSFETs, que possuem um comprimento de vala menor, aumentam o VDS para que a camada de drenagem na região do dreno seja expandida até a fonte região, fazendo com que o comprimento do canal seja zero, ou seja, para produzir uma penetração dreno-fonte, penetração, a maioria dos portadores da região fonte serão atraídos diretamente pelo campo elétrico da camada de depleção para a região dreno, resultando em um identificação grande.

4, tensão de ruptura da fonte da porta BVGS

Quando a tensão da porta é aumentada, o VGS quando o IG é aumentado de zero é chamado de tensão de ruptura da fonte da porta BVGS.

5、Transcondutância de baixa frequência

Quando VDS é um valor fixo, a razão entre a microvariação da corrente de dreno e a microvariação da tensão da fonte da porta que causa a mudança é chamada de transcondutância, que reflete a capacidade da tensão da fonte da porta de controlar a corrente de dreno, e é um parâmetro importante que caracteriza a capacidade de amplificação doMOSFET.

6, RON com resistência

O RON na resistência mostra o efeito do VDS no ID, é o inverso da inclinação da linha tangente das características do dreno em um determinado ponto, na região de saturação, o ID quase não muda com o VDS, o RON é muito grande valor, geralmente na faixa de dezenas de quilo-Ohms a centenas de quilo-Ohms, porque em circuitos digitais, os MOSFETs geralmente funcionam no estado do VDS condutor = 0, portanto, neste ponto, a resistência ligada O RON pode ser aproximado pela origem do RON para aproximar, para o MOSFET geral, o valor do RON dentro de algumas centenas de ohms.

7, capacitância interpolar

A capacitância interpolar existe entre os três eletrodos: capacitância da fonte de porta CGS, capacitância de dreno de porta CGD e capacitância de fonte de dreno CDS-CGS e CGD é cerca de 1 ~ 3pF, CDS é cerca de 0,1 ~ 1pF.

8、Fator de ruído de baixa frequência

O ruído é causado por irregularidades na movimentação dos transportadores no duto. Devido à sua presença, ocorrem variações irregulares de tensão ou corrente na saída, mesmo que não haja sinal entregue pelo amplificador. O desempenho de ruído é geralmente expresso em termos do fator de ruído NF. A unidade é decibel (dB). Quanto menor o valor, menos ruído o tubo produz. O fator de ruído de baixa frequência é o fator de ruído medido na faixa de baixa frequência. O fator de ruído de um tubo de efeito de campo é de cerca de alguns dB, menor que o de um triodo bipolar.