Quais são as quatro regiões de um MOSFET?

As quatro regiões de um MOSFET de aprimoramento de canal N

(1) Região de resistência variável (também chamada de região insaturada)

Ucs" Ucs (th) (tensão de ativação), uDs" UGs-Ucs (th), é a região à esquerda do traço pré-fixado na figura onde o canal está ligado. O valor dos UDs é pequeno nesta região, e a resistência do canal é basicamente controlada apenas pelos UGs. Quando uGs é certo, ip e uDs estão em um relacionamento linear, a região é aproximada como um conjunto de linhas retas. Neste momento, o tubo de efeito de campo D, S entre o equivalente a uma tensão UGS

Controlado pela resistência variável da tensão UGS.

(2) região de corrente constante (também conhecida como região de saturação, região de amplificação, região ativa)

Ucs ≥ Ucs (h) e Ubs ≥ UcsUssth), para a figura do lado direito do pré-pinçamento fora do caminho, mas ainda não discriminado na região, na região, quando os uGs devem estar, ib quase não mudança com os UDs, é uma característica de corrente constante. i é controlado apenas pelos UGs, então o MOSFETD,S é equivalente a uma tensão uGs de controle da fonte de corrente. MOSFET é usado em circuitos de amplificação, geralmente no trabalho do MOSFET D, S é equivalente a uma fonte de corrente de controle de tensão uGs. MOSFET utilizados em circuitos de amplificação, geralmente funcionam na região, também conhecida como área de amplificação.

(3) Área de corte (também chamada de área de corte)

Área de corte (também conhecida como área de corte) para atender ao ucs "Ues (th) para a figura próxima ao eixo horizontal da região, o canal é todo preso, conhecido como corte completo, io = 0 , o tubo não funciona.

(4) localização da zona de avaria

A região de decomposição está localizada na região do lado direito da figura. Com o aumento dos UDs, a junção PN fica sujeita a muita tensão reversa e ruptura, o ip aumenta acentuadamente. O tubo deve ser operado de modo a evitar operar na região de ruptura. A curva característica de transferência pode ser derivada da curva característica de saída. Sobre o método usado como gráfico para encontrar. Por exemplo, na Figura 3 (a) para a linha vertical Ubs = 6V, sua interseção com as diversas curvas correspondentes aos valores i, Us nas coordenadas ib-Uss conectadas à curva, ou seja, para obter a curva característica de transferência.

Parâmetros deMOSFET

Existem muitos parâmetros do MOSFET, incluindo parâmetros DC, parâmetros AC e parâmetros de limite, mas apenas os seguintes parâmetros principais precisam ser considerados no uso comum: corrente saturada da fonte de drenagem IDSS tensão de pinçamento Up, (tubos do tipo junção e esgotamento -tipo tubos de porta isolada ou tensão de ativação UT (tubos de porta isolada reforçada), transcondutância gm, tensão de ruptura da fonte de vazamento BUDS, potência dissipada máxima PDSM e fonte de drenagem máxima IDSM atual.

(1) Corrente de drenagem saturada

A corrente de drenagem saturada IDSS é a corrente de drenagem em um MOSFET de porta isolada do tipo junção ou depleção quando a tensão da porta UGS = 0.

(2) Tensão de corte

A tensão de pinçamento UP é a tensão de porta em um MOSFET de porta isolada do tipo junção ou de depleção que apenas corta entre o dreno e a fonte. Como mostrado em 4-25 para o tubo UGS do canal N, uma curva ID, pode ser entendido para ver o significado de IDSS e UP

MOSFET quatro regiões

(3) Tensão de ativação

A tensão de ativação UT é a tensão de porta em um MOSFET de porta isolada reforçada que torna a fonte entre drenos apenas condutiva.

(4) Transcondutância

A transcondutância gm é a capacidade de controle da tensão da fonte da porta UGS na corrente de dreno ID, ou seja, a razão entre a mudança na corrente de dreno ID e a mudança na tensão da fonte da porta UGS. 9m é um parâmetro importante que pesa a capacidade de amplificação doMOSFET.

(5) Tensão de ruptura da fonte de drenagem

A tensão de ruptura da fonte de drenagem BUDS refere-se à tensão da fonte da porta UGS certa, a operação normal do MOSFET pode aceitar a tensão máxima da fonte de drenagem. Este é um parâmetro limite, somado à tensão de operação do MOSFET deve ser menor que o BUDS.

(6) Dissipação Máxima de Potência

A dissipação máxima de potência PDSM também é um parâmetro limite, refere-se aoMOSFETo desempenho não se deteriora quando a dissipação de energia da fonte de vazamento máxima permitida. Ao usar o MOSFET, o consumo prático de energia deve ser menor que o PDSM e deixar uma certa margem.

(7) Corrente Máxima de Dreno

A corrente máxima de fuga IDSM é outro parâmetro limite, refere-se à operação normal do MOSFET, a fonte de fuga da corrente máxima permitida para passar pela corrente operacional do MOSFET não deve exceder o IDSM.

Princípio operacional MOSFET

O princípio de funcionamento do MOSFET (MOSFET de aprimoramento de canal N) é usar VGS para controlar a quantidade de “carga indutiva”, a fim de alterar a condição do canal condutor formado por essas “cargas indutivas”, e então atingir o objetivo de controlar a corrente de dreno. O objetivo é controlar a corrente de drenagem. Na fabricação de tubos, através do processo de produção de um grande número de íons positivos na camada isolante, para que no outro lado da interface possam ser induzidas mais cargas negativas, essas cargas negativas podem ser induzidas.

Quando a tensão da porta muda, a quantidade de carga induzida no canal também muda, a largura do canal condutor também muda e, portanto, a corrente de dreno ID muda com a tensão da porta.

Função MOSFET

I. O MOSFET pode ser aplicado à amplificação. Devido à alta impedância de entrada do amplificador MOSFET, o capacitor de acoplamento pode ter capacidade menor, sem o uso de capacitores eletrolíticos.

Em segundo lugar, a alta impedância de entrada do MOSFET é muito adequada para conversão de impedância. Comumente usado no estágio de entrada do amplificador de vários estágios para conversão de impedância.

O MOSFET pode ser usado como resistor variável.

Quarto, o MOSFET pode ser facilmente usado como fonte de corrente constante.

Quinto, o MOSFET pode ser usado como uma chave eletrônica.