Método de produção de circuito de acionamento MOSFET de alta potência

Existem duas soluções principais:

Uma delas é usar um chip driver dedicado para acionar o MOSFET, ou o uso de fotoacopladores rápidos, os transistores constituem um circuito para acionar o MOSFET, mas o primeiro tipo de abordagem requer o fornecimento de uma fonte de alimentação independente; o outro tipo de transformador de pulso para acionar o MOSFET, e no circuito de acionamento de pulso, como melhorar a frequência de comutação do circuito de acionamento para aumentar a capacidade de acionamento, na medida do possível, para reduzir o número de componentes, é a necessidade urgente para resolver oProblemas atuais.

O primeiro tipo de esquema de acionamento, meia ponte, requer duas fontes de alimentação independentes; ponte completa requer três fontes de alimentação independentes, meia ponte e ponte completa, muitos componentes, não propícios à redução de custos.

O segundo tipo de programa de condução, e a patente é o estado da técnica mais próximo da invenção, chama-se "um motor de alta potênciaMOSFET circuito de acionamento "patente (número de aplicação 200720309534. 8), a patente apenas adiciona uma resistência de descarga para liberar a fonte de porta de carga MOSFET de alta potência, para atingir o objetivo de desligar, a borda de queda do sinal PWM é grande. O a borda descendente do sinal PWM é grande, o que levará ao desligamento lento do MOSFET, a perda de energia é muito grande;

Além disso, o trabalho do programa de patentes MOSFET é suscetível a interferências, e o chip de controle PWM precisa ter uma grande potência de saída, fazendo com que a temperatura do chip seja alta, afetando a vida útil do chip. Conteúdo da invenção O objetivo deste modelo de utilidade é fornecer um circuito de acionamento MOSFET de alta potência, trabalhar mais estável e zero para atingir o objetivo desta solução técnica de invenção de modelo de utilidade - um circuito de acionamento MOSFET de alta potência, a saída de sinal de o chip de controle PWM está conectado ao transformador de pulso primário, o primeira saída oSe o transformador de pulso secundário estiver conectado à primeira porta MOSFET, a segunda saída do transformador de pulso secundário será conectada à primeira porta MOSFET, a segunda saída do transformador de pulso secundário será conectada à primeira porta MOSFET. A primeira saída do secundário do transformador de pulso é conectada à porta do primeiro MOSFET, a segunda saída do secundário do transformador de pulso é conectada à porta do segundo MOSFET, caracterizado por a primeira saída do secundário do transformador de pulso também estar conectada ao primeiro transistor de descarga, e a segunda saída do secundário do transformador de pulso também é conectada ao segundo transistor de descarga. O lado primário do transformador de pulso também está conectado a um circuito de armazenamento e liberação de energia.

O circuito de liberação de armazenamento de energia inclui um resistor, um capacitor e um diodo, o resistor e o capacitor são conectados em paralelo, e o circuito paralelo acima mencionado é conectado em série com o diodo. O modelo de utilidade tem um efeito benéfico O modelo de utilidade também possui um primeiro transistor de descarga conectado à primeira saída do secundário do transformador e um segundo transistor de descarga conectado à segunda saída do transformador de pulso, de modo que quando o transformador de pulso produz um baixo nível, o primeiro MOSFET e o segundo MOSFET podem ser descarregados rapidamente para melhorar a velocidade de desligamento do MOSFET e para reduzir a perda do MOSFET. O sinal do chip de controle PWM é conectado ao MOSFET de amplificação de sinal entre a saída primária e o primário do transformador de pulso, que pode ser usado para amplificação de sinal. A saída de sinal do chip de controle PWM e o transformador de pulso primário são conectados a um MOSFET para amplificação de sinal, o que pode melhorar ainda mais a capacidade de condução do sinal PWM.

O transformador de pulso primário também é conectado a um circuito de liberação de armazenamento de energia, quando o sinal PWM está em um nível baixo, o circuito de liberação de armazenamento de energia libera a energia armazenada no transformador de pulso quando o PWM está em um nível alto, garantindo que o portão a fonte do primeiro MOSFET e do segundo MOSFET é extremamente baixa, o que desempenha um papel na prevenção de interferências.

Em uma implementação específica, um MOSFET Q1 de baixa potência para amplificação de sinal é conectado entre o terminal de saída de sinal A do chip de controle PWM e o primário do transformador de pulso Tl, o primeiro terminal de saída do secundário do transformador de pulso é conectado ao a porta do primeiro MOSFET Q4 através do diodo D1 e o resistor de acionamento Rl, o segundo terminal de saída do secundário do transformador de pulso é conectado à porta do segundo MOSFET Q5 através do diodo D2 e ​​do resistor de acionamento R2, e o primeiro terminal de saída do secundário do transformador de pulso também está conectado ao primeiro triodo de dreno Q2, e o segundo triodo de dreno Q3 também está conectado ao segundo triodo de dreno Q3. MOSFET Q5, o primeiro terminal de saída do secundário do transformador de pulso também está conectado a um primeiro transistor de dreno Q2, e o segundo terminal de saída do secundário do transformador de pulso também está conectado a um segundo transistor de dreno Q3.

A porta do primeiro MOSFET Q4 está conectada a um resistor de dreno R3, e a porta do segundo MOSFET Q5 está conectada a um resistor de dreno R4. o primário do transformador de pulso Tl também está conectado a um circuito de armazenamento e liberação de energia, e o circuito de armazenamento e liberação de energia inclui um resistor R5, um capacitor Cl e um diodo D3, e o resistor R5 e o capacitor Cl estão conectados em paralelo, e o referido circuito paralelo é conectado em série com o diodo D3. a saída do sinal PWM do chip de controle PWM é conectada ao MOSFET Q2 de baixa potência, e o MOSFET Q2 de baixa potência é conectado ao secundário do transformador de pulso. é amplificado pelo MOSFET Ql de baixa potência e enviado para o primário do transformador de pulso Tl. Quando o sinal PWM é alto, o primeiro terminal de saída e o segundo terminal de saída do secundário do transformador de pulso Tl emitem sinais de alto nível para acionar o primeiro MOSFET Q4 e o segundo MOSFET Q5 para conduzir.

Quando o sinal PWM é baixo, a primeira saída e a segunda saída dos sinais de baixo nível de saída secundária do transformador de pulso Tl, o primeiro transistor de dreno Q2 e o segundo transistor de dreno Q3 condução, a primeira capacitância de fonte de porta MOSFETQ4 através do resistor de dreno R3, o primeiro transistor de drenagem Q2 para descarga, a segunda capacitância de fonte de porta MOSFETQ5 através do resistor de dreno R4, o segundo transistor de dreno Q3 para descarga, a segunda capacitância de fonte de porta MOSFETQ5 através do resistor de dreno R4, o segundo transistor de drenagem Q3 para descarga, a segunda capacitância de fonte de porta MOSFETQ5 através do resistor de drenagem R4, o segundo transistor de drenagem Q3 para descarga. A capacitância da fonte da segunda porta MOSFETQ5 é descarregada através do resistor de drenagem R4 e do segundo transistor de drenagem Q3, de modo que o primeiro MOSFET Q4 e o segundo MOSFET Q5 possam ser desligados mais rapidamente e a perda de energia possa ser reduzida.

Quando o sinal PWM está baixo, o circuito de liberação de energia armazenada composto pelo resistor R5, capacitor Cl e diodo D3 libera a energia armazenada no transformador de pulso quando o PWM está alto, garantindo que a fonte da porta do primeiro MOSFET Q4 e do segundo MOSFET Q5 é extremamente baixo, o que serve ao propósito de anti-interferência. O diodo Dl e o diodo D2 conduzem a corrente de saída unidirecionalmente, garantindo assim a qualidade da forma de onda PWM e, ao mesmo tempo, também desempenham o papel de anti-interferência até certo ponto.