Análise de parâmetros e medição de MOSFETs

Existem muitos tipos de parâmetros principais deMOSFET, que contém corrente CC, parâmetros de corrente CA e parâmetros de limite, mas a aplicação geral só precisa se preocupar com os seguintes parâmetros básicos: estado de saturação da corrente da fonte de vazamento Tensão de pitada IDSS Up, transcondutância gm, tensão de ruptura da fonte de vazamento BUDS, a maior perda de potência de saída PDSM e maior corrente de fonte de fuga IDSM.

1. Corrente de fonte de fuga saturada

A corrente de fonte de dreno saturada IDSS significa a corrente de fonte de dreno na tensão de porta UGS = 0 em MOSFETs de porta de camada isolada do tipo junção ou depleção.

2. Tensão de corte

A tensão de pinçamento UP significa a tensão de operação da porta em uma porta de camada isolada do tipo junção ou esgotamentoMOSFETisso faz com que a fonte de drenagem seja cortada. Descubra o que IDSS e UP realmente significam.

3、Ligue a tensão

A tensão de ativação UT significa a tensão de operação da porta em um MOSFET de porta isolada reforçada, de modo que a interconexão dreno-fonte seja ligada. Descubra o que UT realmente significa.

4. Orientação cruzada

O transguide gm é usado para indicar a capacidade da tensão da fonte da porta em controlar a corrente de dreno, ou seja, a relação entre a mudança na corrente de dreno e a mudança na tensão da fonte na porta.

5、Perda máxima de potência de saídar

A potência máxima de saída de perda também pertence ao parâmetro limite, o que significa a potência máxima de perda de fonte de drenagem que pode ser permitida quando o desempenho doMOSFETé normal e não afetado. Quando utilizamos o MOSFET, sua perda funcional deve ser menor que o PDSM e um determinado valor.

6、Corrente máxima da fonte de fuga

A corrente máxima de drenagem-fonte, IDSM, também é um parâmetro limitante, o que significa a corrente máxima permitida para passar entre o dreno e a fonte de um MOSFET durante a operação normal e não deve ser excedida quando o MOSFET estiver em operação.

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