Este é um pacoteMOSFETsensor infravermelho piroelétrico. A moldura retangular é a janela de detecção. O pino G é o terminal de aterramento, o pino D é o dreno MOSFET interno e o pino S é a fonte MOSFET interna. No circuito, G está conectado ao terra, D está conectado à fonte de alimentação positiva, os sinais infravermelhos são recebidos pela janela e os sinais elétricos são emitidos por S.
Portão do Julgamento G
O driver MOS desempenha principalmente o papel de moldar a forma de onda e aprimorar a condução: Se a forma de onda do sinal G doMOSFETnão for íngreme o suficiente, causará uma grande perda de energia durante o estágio de comutação. Seu efeito colateral é reduzir a eficiência de conversão do circuito. O MOSFET terá febre intensa e será facilmente danificado pelo calor. Existe uma certa capacitância entre MOSFETGS. , se a capacidade de condução do sinal G for insuficiente, isso afetará seriamente o tempo de salto da forma de onda.
Faça um curto-circuito no pólo GS, selecione o nível R×1 do multímetro, conecte a ponta de teste preta ao pólo S e a ponta de teste vermelha ao pólo D. A resistência deve ser de alguns Ω a mais de dez Ω. Se for constatado que a resistência de um determinado pino e de seus dois pinos é infinita, e ainda é infinita após a troca das pontas de prova, confirma-se que este pino é o pólo G, pois está isolado dos outros dois pinos.
Determine a fonte S e o dreno D
Defina o multímetro para R×1k e meça a resistência entre os três pinos, respectivamente. Use o método de troca de cabos de teste para medir a resistência duas vezes. Aquela com um valor de resistência mais baixo (geralmente de alguns milhares de Ω a mais de dez mil Ω) é a resistência direta. Neste momento, a ponta de teste preta é o pólo S e a ponta de teste vermelha está conectada ao pólo D. Devido às diferentes condições de teste, o valor RDS(on) medido é superior ao valor típico fornecido no manual.
SobreMOSFET
O transistor tem canal do tipo N, por isso é chamado de canal NMOSFET, ouNMOS. Também existe FET MOS (PMOS) de canal P, que é um PMOSFET composto por uma BACKGATE tipo N levemente dopada e uma fonte e dreno tipo P.
Independentemente do MOSFET tipo N ou tipo P, seu princípio de funcionamento é essencialmente o mesmo. O MOSFET controla a corrente no dreno do terminal de saída pela tensão aplicada à porta do terminal de entrada. MOSFET é um dispositivo controlado por tensão. Controla as características do dispositivo através da tensão aplicada ao portão. Não causa o efeito de armazenamento de carga causado pela corrente de base quando um transistor é usado para comutação. Portanto, na troca de aplicativos,MOSFETsdeve mudar mais rápido que os transistores.
O FET também recebe esse nome porque sua entrada (chamada porta) afeta a corrente que flui através do transistor, projetando um campo elétrico em uma camada isolante. Na verdade, nenhuma corrente flui através deste isolador, então a corrente GATE do tubo FET é muito pequena.
O FET mais comum usa uma fina camada de dióxido de silício como isolante sob o GATE.
Este tipo de transistor é chamado de transistor semicondutor de óxido metálico (MOS) ou transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (MOSFET). Como os MOSFETs são menores e mais eficientes em termos de energia, eles substituíram os transistores bipolares em muitas aplicações.
Horário da postagem: 10 de novembro de 2023
