Quais são as causas do aquecimento MOSFET do inversor?

O MOSFET do inversor opera em estado de comutação e a corrente que flui através do MOSFET é muito alta. Se o MOSFET não for selecionado corretamente, a amplitude da tensão de acionamento não for grande o suficiente ou a dissipação de calor do circuito não for boa, isso poderá causar o aquecimento do MOSFET.

 

1, o aquecimento MOSFET do inversor é sério, deve prestar atenção aoMOSFETseleção

MOSFET no inversor no estado de comutação, geralmente requer sua corrente de dreno tão grande quanto possível, resistência de ligação tão pequena quanto possível, para que você possa reduzir a queda de tensão de saturação do MOSFET, reduzindo assim o MOSFET desde o consumo, reduza o aquecer.

Verifique o manual do MOSFET, descobriremos que quanto maior o valor da tensão suportável do MOSFET, maior será sua resistência, e aqueles com alta corrente de dreno, baixo valor de tensão suportável do MOSFET, sua resistência é geralmente abaixo de dezenas de miliohms.

Supondo que a corrente de carga de 5A, escolhemos o inversor comumente usado MOSFETRU75N08R e o valor de tensão suportável de 500V 840 pode ser, sua corrente de dreno é de 5A ou mais, mas a resistência de ligação dos dois MOSFETs é diferente, aciona a mesma corrente , sua diferença de calor é muito grande. A resistência ligada de 75N08R é de apenas 0,008Ω, enquanto a resistência ligada de 840 A resistência ligada de 75N08R é de apenas 0,008Ω, enquanto a resistência ligada de 840 é 0,85Ω. Quando a corrente de carga que flui através do MOSFET é 5A, a queda de tensão do MOSFET 75N08R é de apenas 0,04 V, e o consumo MOSFET do MOSFET é de apenas 0,2 W, enquanto a queda de tensão do MOSFET 840 pode ser de até 4,25 W, e o consumo do MOSFET é tão alto quanto 21,25W. A partir disso, pode-se ver que a resistência do MOSFET é diferente da resistência do 75N08R, e sua geração de calor é muito diferente. Quanto menor for a resistência do MOSFET, melhor, a resistência do MOSFET, o tubo MOSFET sob alto consumo de corrente é bastante grande.

 

2, o circuito de acionamento da amplitude da tensão de acionamento não é grande o suficiente

MOSFET é um dispositivo de controle de tensão, se você deseja reduzir o consumo do tubo MOSFET, reduzir o calor, a amplitude da tensão de acionamento da porta MOSFET deve ser grande o suficiente, conduzir a borda do pulso para íngreme, pode reduzir oMOSFETqueda de tensão do tubo, reduz o consumo do tubo MOSFET.

 

3, a dissipação de calor MOSFET não é uma boa causa

O aquecimento MOSFET do inversor é sério. Como o consumo do tubo MOSFET do inversor é grande, o trabalho geralmente requer uma área externa grande o suficiente do dissipador de calor, e o dissipador de calor externo e o próprio MOSFET entre o dissipador de calor devem estar em contato próximo (geralmente necessário ser revestido com material termicamente condutor graxa de silicone), se o dissipador de calor externo for menor ou se o próprio MOSFET não estiver próximo o suficiente do contato do dissipador de calor, poderá causar aquecimento do MOSFET.

Inversor MOSFET aquecimento sério, há quatro razões para o resumo.

O leve aquecimento do MOSFET é um fenômeno normal, mas o aquecimento é sério, e até mesmo leva à queima do MOSFET, existem quatro razões a seguir:

 

1, o problema do projeto de circuito

Deixe o MOSFET funcionar em um estado operacional linear, e não no estado do circuito de comutação. É também uma das causas do aquecimento do MOSFET. Se o N-MOS estiver fazendo a comutação, a tensão do nível G deverá ser alguns V maior que a fonte de alimentação para estar totalmente ligada, enquanto o P-MOS é o oposto. Não totalmente aberto e a queda de tensão é muito grande, resultando em consumo de energia, a impedância DC equivalente é maior, a queda de tensão aumenta, então U * I também aumenta, a perda significa calor. Este é o erro mais evitado no projeto do circuito.

 

2, frequência muito alta

A principal razão é que às vezes a busca excessiva de volume, resultando em aumento de frequência,MOSFETperdas em grande escala, então o calor também aumenta.

 

3, design térmico insuficiente

Se a corrente for muito alta, o valor da corrente nominal do MOSFET geralmente requer uma boa dissipação de calor para ser alcançado. Então o ID é menor que a corrente máxima, também pode esquentar muito, precisa de dissipador de calor auxiliar suficiente.

 

4, a seleção do MOSFET está errada

Julgamento errado de potência, a resistência interna do MOSFET não é totalmente considerada, resultando em aumento da impedância de comutação.