A condutividade do MOSFET significa que ele é usado como uma chave, o que equivale ao fechamento de uma chave. O NMOS é caracterizado como condutor quando Vgs ultrapassa um valor limitado, o que se aplica à condição com a fonte conectada a um dispositivo aterrado, e necessita apenas da porta tensão deve ser 4V ou 10V.PMOS, por outro lado, conduz quando Vgs cai abaixo de um determinado valor e é adequado para situações em que a fonte está conectada a Vcc. No entanto, embora o PMOS possa ser conveniente como um driver de alta qualidade, o NMOS é geralmente usado em drivers de alta qualidade devido à grande resistência, alto preço e custo e poucos tipos de substituição.
Quer sejaNMOSou PMOS, haverá resistência após a resistência, de modo que a corrente na resistência consuma uma certa quantidade de energia, esse consumo é chamado de perda de resistência. Neste ponto, apenas escolhemos a resistência de um pequeno MOSFET para reduzir a perda de resistência, o baixo consumo de energia de hojeMOSFETa resistência de ligação é geralmente de dezenas de miliohms, ou mesmo alguns miliohms do aparecimento do MOS no caso de ligado e a partir da conclusão da situação não ocorre num piscar de olhos.
A tensão em ambos os lados do MOS tem um processo de diminuição, a corrente flui através do processo de aumentar, neste período de tempo, a tensão e a corrente multiplicadas pelo tamanho da perda do MOSFET. A perda geral de comutação é muito maior que a perda de condução e, se quanto maior a frequência de comutação, maior será a perda. Quanto maior a multiplicação da tensão e da corrente no momento da condução, maior será a perda. Se pudermos reduzir o tempo de comutação, podemos reduzir a perda em cada condução, reduzir a frequência de comutação, também podemos reduzir a frequência de comutação dentro de um determinado período de tempo, de modo a reduzir a perda de comutação.
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Horário da postagem: 10 de julho de 2024
