MOSFETs (transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico) são frequentemente considerados dispositivos totalmente controlados. Isso ocorre porque o estado operacional (ligado ou desligado) do MOSFET é totalmente controlado pela tensão da porta (Vgs) e não depende da corrente de base como no caso de um transistor bipolar (BJT).
Num MOSFET, a tensão de porta Vgs determina se um canal condutor é formado entre a fonte e o dreno, bem como a largura e condutividade do canal condutor. Quando Vgs excede a tensão limite Vt, o canal condutor é formado e o MOSFET entra no estado ligado; quando Vgs cai abaixo de Vt, o canal condutor desaparece e o MOSFET fica no estado de corte. Este controle é totalmente controlado porque a tensão da porta pode controlar de forma independente e precisa o estado operacional do MOSFET sem depender de outros parâmetros de corrente ou tensão.
Em contraste, o estado operacional de dispositivos semi-controlados (por exemplo, tiristores) não é afetado apenas pela tensão ou corrente de controle, mas também por outros fatores (por exemplo, tensão anódica, corrente, etc.). Como resultado, dispositivos totalmente controlados (por exemplo, MOSFETs) geralmente oferecem melhor desempenho em termos de precisão e flexibilidade de controle.
Em resumo, os MOSFETs são dispositivos totalmente controlados cujo estado operacional é totalmente controlado pela tensão da porta e apresentam as vantagens de alta precisão, alta flexibilidade e baixo consumo de energia.
Horário da postagem: 20 de setembro de 2024
