Como funcionam os MOSFETs?

1, MOSFETintrodução

Abreviatura do transistor FieldEffect (FET)) título MOSFET. por um pequeno número de portadores para participar na condução de calor, também conhecido como transistor multipolar. Pertence ao mecanismo semi-supercondutor do tipo masterização de tensão. A resistência de saída é alta (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9Ω), baixo ruído, baixo consumo de energia, faixa estática, fácil de integrar, nenhum fenômeno de segunda avaria, a tarefa de seguro do mar e outras vantagens, agora mudou o transistor bipolar e o transistor de junção de potência dos fortes colaboradores.

 

2, características MOSFET

1, MOSFET é um dispositivo de controle de tensão, através do ID de controle VGS (tensão da fonte da porta) (dreno DC);

2, MOSFETso pólo DC de saída é pequeno, então a resistência de saída é grande.

3, é a aplicação de um pequeno número de portadores para conduzir calor, para que ele tenha uma melhor medida de estabilidade;

4, consiste no caminho de redução do coeficiente de redução elétrica é menor do que o triodo consiste no caminho de redução do coeficiente de redução;

5, capacidade anti-irradiação MOSFET;

6, devido à ausência de atividade defeituosa da dispersão do oligônio causada por partículas dispersas de ruído, portanto o ruído é baixo.

 

3. Princípio da tarefa MOSFET

MOSFETsprincípio de operação em uma frase, é "fonte de drenagem entre o ID fluindo através do canal para o portão e o canal entre a junção pn formada pela polarização reversa do ID mestre de tensão do portão", para ser preciso, o ID flui através da largura do caminho, ou seja, a área da seção transversal do canal, é a mudança na polarização reversa da junção pn, que produz uma camada de depleção. A razão para o controle de variação estendido. No mar não saturado de VGS=0, como a expansão da camada de transição não é muito grande, de acordo com a adição do campo magnético de VDS entre a fonte dreno, alguns elétrons no mar fonte são puxados pelo dreno, ou seja, há uma atividade DC ID do dreno até a origem. A camada moderada ampliada da comporta até o dreno faz com que todo o corpo do canal forme um tipo de bloqueio, ID full. Chame esse formulário de pinçamento. Simbolizando a camada de transição para o canal de uma obstrução inteira, em vez de a energia DC ser cortada.

 

Como não há movimento livre de elétrons e buracos na camada de transição, ela tem propriedades quase isolantes na forma ideal e é difícil para a corrente geral fluir. Mas então o campo elétrico entre o dreno - fonte, na verdade, as duas camadas de transição entram em contato com o dreno e o pólo da porta perto da parte inferior, porque o campo elétrico de deriva puxa os elétrons de alta velocidade através da camada de transição. A intensidade do campo de deriva é quase constante, produzindo a plenitude da cena ID.

 

O circuito usa uma combinação de um MOSFET aprimorado de canal P e um MOSFET aprimorado de canal N. Quando a entrada está baixa, o MOSFET do canal P conduz e a saída é conectada ao terminal positivo da fonte de alimentação. Quando a entrada é alta, o MOSFET do canal N conduz e a saída é conectada ao terra da fonte de alimentação. Neste circuito, o MOSFET do canal P e o MOSFET do canal N operam sempre em estados opostos, com suas entradas e saídas de fase invertidas.