MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) tem três pólos que são:
Portão:G, a porta de um MOSFET é equivalente à base de um transistor bipolar e é usada para controlar a condução e o corte do MOSFET. Nos MOSFETs, a tensão da porta (Vgs) determina se um canal condutor é formado entre a fonte e o dreno, bem como a largura e a condutividade do canal condutor. A porta é feita de materiais como metal, polissilício, etc., e é cercada por uma camada isolante (geralmente dióxido de silício) para evitar que a corrente flua diretamente para dentro ou para fora da porta.
Fonte:S, a fonte de um MOSFET é equivalente ao emissor de um transistor bipolar e é por onde flui a corrente. Nos MOSFETs de canal N, a fonte geralmente é conectada ao terminal negativo (ou terra) da fonte de alimentação, enquanto nos MOSFETs de canal P, a fonte é conectada ao terminal positivo da fonte de alimentação. A fonte é uma das partes principais que formam o canal condutor, que envia elétrons (canal N) ou buracos (canal P) para o dreno quando a tensão da porta é alta o suficiente.
Ralo:D, o dreno de um MOSFET é equivalente ao coletor de um transistor bipolar e é por onde entra a corrente. O dreno geralmente é conectado à carga e atua como uma saída de corrente no circuito. Num MOSFET, o dreno é a outra extremidade do canal condutor, e quando a tensão da porta controla a formação de um canal condutor entre a fonte e o dreno, a corrente pode fluir da fonte através do canal condutor até o dreno.
Resumindo, a porta de um MOSFET é usada para ligar e desligar, a fonte é por onde a corrente sai e o dreno é por onde a corrente entra. Juntos, esses três pólos determinam o estado operacional e o desempenho do MOSFET .
Horário da postagem: 26 de setembro de 2024
