Hoje em dia, com o rápido desenvolvimento da ciência e da tecnologia, os semicondutores são utilizados em cada vez mais indústrias, nas quais oMOSFET também é considerado um dispositivo semicondutor muito comum, o próximo passo é entender qual é a diferença entre as características do transistor de cristal de potência bipolar e o MOSFET de potência de saída.
1, a forma de trabalho
MOSFET é o trabalho necessário para promover a tensão operacional, os diagramas de circuito explicam relativamente simples, promovem a potência dos pequenos; transistor de cristal de potência é um fluxo de energia para promover o design do programa é mais complexo, para promover a especificação da escolha de difícil promover a especificação comprometerá a velocidade total de comutação da fonte de alimentação.
2, a velocidade total de comutação da fonte de alimentação
MOSFET afetado pela temperatura é pequeno, a potência de saída de comutação da fonte de alimentação pode garantir mais de 150KHz; O transistor de cristal de potência tem muito pouco tempo de armazenamento de carga livre, limitando a velocidade de comutação da fonte de alimentação, mas sua potência de saída geralmente não é superior a 50 KHz.
3、Área de trabalho segura
MOSFET de potência não tem base secundária e a área de trabalho segura é ampla; o transistor de cristal de potência tem uma situação de base secundária, que limita a área de trabalho segura.
4、Requisito de trabalho do condutor elétrico tensão de trabalho
PoderMOSFET pertence ao tipo de alta tensão, a tensão de trabalho do requisito de trabalho de condução é maior, há um coeficiente de temperatura positivo; transistor de cristal de potência, não importa quanto dinheiro seja resistente à tensão de trabalho dos requisitos de trabalho, a tensão de trabalho dos requisitos de trabalho do condutor elétrico é menor e tem um coeficiente de temperatura negativo.
5, o fluxo de potência máximo
Potência MOSFET no circuito de fonte de alimentação de comutação circuito de fonte de alimentação circuito de fonte de alimentação como um interruptor de fonte de alimentação, em operação e trabalho estável no meio, o fluxo de energia máximo é menor; e transistor de cristal de potência em operação e trabalho estável no meio, o fluxo de potência máximo é maior.
6、Custo do produto
O custo do MOSFET de potência é ligeiramente mais alto; o custo do triodo de cristal de potência é ligeiramente menor.
7、Efeito de penetração
O Power MOSFET não tem efeito de penetração; transistor de cristal de potência tem efeito de penetração.
8、Perda de comutação
A perda de comutação do MOSFET não é grande; a perda de comutação do transistor de cristal de potência é relativamente grande.
Além disso, a grande maioria do diodo de absorção de choque integrado do MOSFET de potência, enquanto o transistor de cristal de potência bipolar quase nenhum diodo de absorção de choque integrado. O diodo de absorção de choque do MOSFET também pode ser um ímã universal para comutar bobinas magnéticas de circuitos de fonte de alimentação para fornecer o ângulo do fator de potência do canal de segurança do fluxo de potência. Tubo de efeito de campo no diodo de absorção de choque em todo o processo de desligamento com o diodo geral como a existência de fluxo de corrente de recuperação reversa, neste momento o diodo, por um lado, para ocupar o dreno - pólo da fonte no meio positivo de um substancial aumento nos requisitos de trabalho da tensão operacional, por outro lado, e o fluxo de corrente de recuperação reversa.
Horário da postagem: 29 de maio de 2024
