As duas principais causasof MOSFET falha:
Falha de tensão: ou seja, a tensão BVdss entre o dreno e a fonte excede a tensão nominal doMOSFET e atinge uma certa capacidade, fazendo com que o MOSFET falhe.
Falha de tensão do portão: O portão sofre um pico de tensão anormal, resultando em uma falha na camada de oxigênio do portão.
Falha de colapso (falha de tensão)
O que exatamente são os danos da avalanche? Simplificando,um MOSFET é um modo de falha criado pela superposição entre tensões de barramento, tensões de reflexão do transformador, tensões de pico de fuga, etc. e o MOSFET. Resumindo, é uma falha comum que ocorre quando a tensão no pólo dreno-fonte de um MOSFET excede o valor de tensão especificado e atinge um determinado limite de energia.
Medidas para prevenir danos causados por avalanches:
-Reduza a dosagem adequadamente. Nesta indústria, geralmente é reduzido em 80-95%. Escolha com base nos termos de garantia da empresa e nas prioridades da linha.
-A tensão reflexiva é razoável.
-RCD, projeto de circuito de absorção de TVS é razoável.
-A fiação de alta corrente deve ser a maior possível para minimizar a indutância parasita.
-Selecione o resistor de porta apropriado Rg.
-Adicione amortecimento RC ou absorção de diodo Zener para fontes de alta potência, conforme necessário.
Falha na tensão do portão
Existem três causas principais para tensões de rede anormalmente altas: eletricidade estática durante a produção, transporte e montagem; ressonância de alta tensão gerada por parâmetros parasitas de equipamentos e circuitos durante a operação do sistema de potência; e transmissão de alta tensão através do Ggd para a rede durante choques de alta tensão (uma falha que é mais comum durante testes de descargas atmosféricas).
Medidas para evitar falhas de tensão na porta:
Proteção contra sobretensão entre porta e fonte: Quando a impedância entre porta e fonte é muito alta, a mudança repentina de tensão entre porta e fonte é acoplada à porta através da capacitância entre os eletrodos, resultando em uma sobreregulação de tensão UGS muito alta, levando a uma regulação excessiva do portão. Danos oxidativos permanentes. Se o UGS estiver com uma tensão transitória positiva, o dispositivo também poderá causar erros. Com base nisso, a impedância do circuito de acionamento da porta deve ser adequadamente reduzida e um resistor de amortecimento ou tensão de estabilização de 20 V deve ser conectado entre a porta e a fonte. Deve-se tomar cuidado especial para evitar operação com porta aberta.
Proteção contra sobretensão entre tubos de descarga: Se houver um indutor no circuito, mudanças repentinas na corrente de fuga (di/dt) quando a unidade for desligada resultarão em excessos de tensão de fuga bem acima da tensão de alimentação, causando danos à unidade. A proteção deve incluir um grampo Zener, um grampo RC ou um circuito de supressão RC.
Horário da postagem: 17 de julho de 2024
