Seleção MOSFET | Princípios de construção do MOSFET de canal N

Um MOSFET que consiste em um substrato tipo p e duas áreas de propagação n com altos valores de concentração é chamado de canal nMOSFET, e o canal condutor causado por um canal condutor do tipo n é causado pelos caminhos de espalhamento n nos dois caminhos de espalhamento n com altos valores de concentração quando o tubo conduz. Os MOSFETs espessados ​​de canal n têm o canal n causado por um canal condutor quando uma polarização direcional positiva é aumentada tanto quanto possível no portão e somente quando a operação da fonte do portão requer uma tensão operacional que excede a tensão limite. MOSFETs de depleção de canal n são aqueles que não estão prontos para a tensão da porta (a operação da fonte da porta requer uma tensão operacional zero). Um MOSFET de depleção de luz de canal n é um MOSFET de canal n no qual o canal condutor é causado quando a tensão da porta (a tensão operacional do requisito operacional da fonte da porta é zero) não está preparada.

      Os circuitos integrados NMOSFET são circuitos de fonte de alimentação MOSFET de canal N, circuitos integrados NMOSFET, a resistência de entrada é muito alta, a grande maioria não precisa digerir a absorção do fluxo de energia e, portanto, os circuitos integrados CMOSFET e NMOSFET conectados sem ter que levar em conta a carga do fluxo de energia.Circuitos integrados NMOSFET, a grande maioria da seleção de um circuito de fonte de alimentação de comutação positiva de grupo único circuitos de fonte de alimentação A maioria dos circuitos integrados NMOSFET usa uma única comutação positiva circuito de fonte de alimentação circuito de fonte de alimentação e 9V para mais. Os circuitos integrados CMOSFET só precisam usar o mesmo circuito de fonte de alimentação de comutação que os circuitos integrados NMOSFET, podem ser conectados imediatamente aos circuitos integrados NMOSFET. No entanto, de NMOSFET para CMOSFET imediatamente conectado, porque a resistência pull-up de saída NMOSFET é menor do que a resistência pull-up chaveada do circuito integrado CMOSFET, então tente aplicar um resistor pull-up de diferença de potencial R, o valor do resistor R é geralmente 2 a 100KΩ.