Análise de falhas MOSFET: compreensão, prevenção e soluções

Análise de falhas MOSFET: compreensão, prevenção e soluções

Horário da postagem: 13 de dezembro de 2024

Visão geral rápida:Os MOSFETs podem falhar devido a vários esforços elétricos, térmicos e mecânicos. Compreender esses modos de falha é crucial para projetar sistemas eletrônicos de potência confiáveis. Este guia abrangente explora mecanismos comuns de falhas e estratégias de prevenção.

Média de ppm para vários modos de falha de MOSFETModos comuns de falha do MOSFET e suas causas raízes

1. Falhas relacionadas à tensão

  • Quebra de óxido de portão
  • Colapso da avalanche
  • Perfuração
  • Danos por descarga estática

2. Falhas Térmicas

  • Repartição secundária
  • Fuga térmica
  • Delaminação de pacotes
  • Levantamento do fio de ligação
Modo de falha Causas Primárias Sinais de alerta Métodos de prevenção
Quebra de Óxido de Portão VGS excessivo, eventos ESD Aumento de vazamento no portão Proteção de tensão de porta, medidas ESD
Fuga Térmica Dissipação excessiva de energia Aumento da temperatura, velocidade de comutação reduzida Design térmico adequado, desclassificação
Análise da avalanche Picos de tensão, comutação indutiva não fixada Curto-circuito na fonte de drenagem Circuitos amortecedores, pinças de tensão

Soluções MOSFET robustas da Winsok

Nossa última geração de MOSFETs apresenta mecanismos de proteção avançados:

  • SOA aprimorada (área operacional segura)
  • Melhor desempenho térmico
  • Proteção ESD integrada
  • Projetos classificados como Avalanche

Análise detalhada de mecanismos de falha

Quebra de Óxido de Portão

Parâmetros Críticos:

  • Tensão máxima da fonte de porta: ±20V típico
  • Espessura do óxido da porta: 50-100nm
  • Força do campo de decomposição: ~10 MV/cm

Medidas de Prevenção:

  1. Implementar fixação de tensão de porta
  2. Use resistores de porta em série
  3. Instale diodos TVS
  4. Práticas adequadas de layout de PCB

Gerenciamento térmico e prevenção de falhas

Tipo de pacote Temperatura máxima da junção Desclassificação recomendada Solução de resfriamento
PARA-220 175°C 25% Dissipador de calor + ventilador
D2PAK 175°C 30% Grande área de cobre + dissipador de calor opcional
SOT-23 150ºC 40% Derrame de cobre PCB

Dicas essenciais de design para confiabilidade do MOSFET

Layout de PCB

  • Minimize a área do loop do portão
  • Aterramentos separados de energia e sinal
  • Use conexão de fonte Kelvin
  • Otimize o posicionamento das vias térmicas

Proteção de Circuito

  • Implementar circuitos de partida suave
  • Use amortecedores apropriados
  • Adicione proteção contra tensão reversa
  • Monitore a temperatura do dispositivo

Procedimentos de diagnóstico e teste

Protocolo básico de teste MOSFET

  1. Teste de parâmetros estáticos
    • Tensão limite da porta (VGS(th))
    • Resistência da fonte de drenagem (RDS(on))
    • Corrente de fuga da porta (IGSS)
  2. Teste Dinâmico
    • Tempos de comutação (ton, toff)
    • Características de carga do portão
    • Capacitância de saída

Serviços de melhoria de confiabilidade do Winsok

  • Análise abrangente do aplicativo
  • Análise térmica e otimização
  • Teste e validação de confiabilidade
  • Suporte laboratorial para análise de falhas

Estatísticas de confiabilidade e análise de vida útil

Principais métricas de confiabilidade

Taxa FIT (falhas no tempo)

Número de falhas por bilhão de horas de dispositivo

0,1 – 10 AJUSTE

Baseado na mais recente série MOSFET da Winsok sob condições nominais

MTTF (tempo médio até falha)

Vida útil esperada sob condições especificadas

>10^6 horas

Em TJ = 125°C, tensão nominal

Taxa de sobrevivência

Porcentagem de dispositivos que sobreviveram além do período de garantia

99,9%

Aos 5 anos de operação contínua

Fatores de redução vitalícia

Condição Operacional Fator de redução Impacto na vida
Temperatura (por 10°C acima de 25°C) 0,5x Redução de 50%
Estresse de tensão (95% da classificação máxima) 0,7x Redução de 30%
Frequência de comutação (2x nominal) 0,8x Redução de 20%
Umidade (85% UR) 0,9x Redução de 10%

Distribuição de probabilidade vitalícia

imagem (1)

Distribuição Weibull da vida útil do MOSFET mostrando falhas precoces, falhas aleatórias e período de desgaste

Fatores de estresse ambiental

Ciclagem de temperatura

85%

Impacto na redução da vida útil

Ciclismo de força

70%

Impacto na redução da vida útil

Estresse Mecânico

45%

Impacto na redução da vida útil

Resultados acelerados de testes de vida

Tipo de teste Condições Duração Taxa de falha
HTOL (vida operacional em alta temperatura) 150°C, VDS máx. 1000 horas <0,1%
THB (viés de temperatura e umidade) 85°C/85% UR 1000 horas <0,2%
TC (Ciclagem de Temperatura) -55°C a +150°C 1000 ciclos <0,3%

Programa de garantia de qualidade da Winsok

2

Testes de triagem

  • Testes de produção 100%
  • Verificação de parâmetros
  • Características dinâmicas
  • Inspeção visual

Testes de qualificação

  • Triagem de estresse ambiental
  • Verificação de confiabilidade
  • Teste de integridade do pacote
  • Monitoramento de confiabilidade de longo prazo