Requisitos do circuito do driver MOSFET

Horário da postagem: 24 de julho de 2024

Com os drivers MOS atuais, existem vários requisitos extraordinários:

1. Aplicação de baixa tensão

Quando a aplicação de comutação de 5Vfonte de energia, neste momento, se o uso da estrutura de totem tradicional, porque o triodo tem apenas 0,7V de perda para cima e para baixo, resultando em uma porta de carga final específica na tensão é de apenas 4,3V, neste momento, o uso de tensão de porta permitida de 4,5 VMOSFETs existe um certo grau de risco.A mesma situação também ocorre na aplicação de 3V ou outra fonte de alimentação chaveada de baixa tensão.

2.Ampla aplicação de tensão

A tensão de modulação não possui valor numérico, varia de tempos em tempos ou devido a outros fatores. Esta variação faz com que a tensão de acionamento fornecida ao MOSFET pelo circuito PWM seja instável.

A fim de proteger melhor o MOSFET em altas tensões de porta, muitos MOSFETs incorporaram reguladores de tensão para forçar um limite na magnitude da tensão de porta. Neste caso, quando a tensão do inversor excede a tensão do regulador, é causada uma grande perda de função estática.

Ao mesmo tempo, se o princípio básico do divisor de tensão do resistor for usado para reduzir a tensão da porta, acontecerá que se a tensão chaveada for maior, o MOSFET funcionará bem, e se a tensão chaveada for reduzida, a tensão da porta não será suficiente, resultando em ativação e desligamento insuficientes, o que aumentará a perda funcional.

Circuito de proteção contra sobrecorrente MOSFET para evitar acidentes de queima da fonte de alimentação(1)

3. Aplicações de dupla tensão

Em alguns circuitos de controle, a parte lógica do circuito aplica a tensão de dados típica de 5 V ou 3,3 V, enquanto a parte de potência de saída aplica 12 V ou mais, e as duas tensões são conectadas ao terra comum.

Isto deixa claro que um circuito de fonte de alimentação deve ser utilizado para que o lado de baixa tensão possa manipular razoavelmente o MOSFET de alta tensão, enquanto o MOSFET de alta tensão será capaz de lidar com as mesmas dificuldades mencionadas em 1 e 2.

Nestes três casos, a construção do totem não pode atender aos requisitos de saída, e muitos CIs de driver MOS existentes não parecem incluir uma construção limitadora de tensão de porta.