Sobre o princípio de funcionamento do MOSFET de potência

Existem muitas variações de símbolos de circuito comumente usados para MOSFETs. O desenho mais comum é uma linha reta representando o canal, duas linhas perpendiculares ao canal representando a fonte e o dreno, e uma linha mais curta paralela ao canal à esquerda representando a comporta. Às vezes, a linha reta que representa o canal também é substituída por uma linha tracejada para distinguir entre o modo de aprimoramentomosfet ou mosfet de modo de esgotamento, que também é dividido em MOSFET de canal N e MOSFET de canal P, dois tipos de símbolos de circuito, conforme mostrado na figura (a direção da seta é diferente).

Os MOSFETs de potência funcionam de duas maneiras principais:

(1) Quando uma tensão positiva é adicionada a D e S (dreno positivo, fonte negativa) e UGS = 0, a junção PN na região do corpo P e a região do dreno N é polarizada reversamente e não há corrente passando entre D e S. Se uma tensão positiva UGS for adicionada entre G e S, nenhuma corrente de porta fluirá porque a porta está isolada, mas uma tensão positiva na porta empurrará os buracos para longe da região P abaixo, e os elétrons portadores minoritários irão ser atraído para a superfície da região P Quando o UGS é maior que uma certa tensão UT, a concentração de elétrons na superfície da região P sob a porta excederá a concentração de buracos, tornando assim a camada antipadrão semicondutora do tipo P semicondutora do tipo N; essa camada antipadrão forma um canal do tipo N entre a fonte e o dreno, de modo que a junção PN desaparece, a fonte e o dreno são condutores e uma corrente de dreno ID flui através do dreno. UT é chamada de tensão de ativação ou tensão limite, e quanto mais UGS exceder UT, mais condutiva será a capacidade condutiva e maior será o ID. Quanto maior o UGS exceder o UT, mais forte será a condutividade e maior será o ID.

(2) Quando D, S mais tensão negativa (fonte positiva, dreno negativo), a junção PN é polarizada diretamente, equivalente a um diodo reverso interno (não possui características de resposta rápida), ou seja, oMOSFET não tem capacidade de bloqueio reverso, pode ser considerado como componentes de condução inversa.

PeloMOSFET princípio de operação pode ser visto, sua condução apenas portadores de uma polaridade envolvidos no condutor, também conhecido como transistor unipolar. A unidade MOSFET é frequentemente baseada nos parâmetros IC e MOSFET da fonte de alimentação para selecionar o circuito apropriado, MOSFET é geralmente usado para comutação circuito de acionamento da fonte de alimentação. Ao projetar uma fonte de alimentação chaveada usando um MOSFET, a maioria das pessoas considera a resistência de ligação, a tensão máxima e a corrente máxima do MOSFET. No entanto, muitas vezes as pessoas consideram apenas esses fatores, para que o circuito funcione corretamente, mas não é uma boa solução de design. Para um projeto mais detalhado, o MOSFET também deve considerar suas próprias informações de parâmetros. Para um MOSFET definido, seu circuito de acionamento, a corrente de pico da saída do inversor, etc., afetarão o desempenho de comutação do MOSFET.