Em contraste com o triodo de cristal de rotação dupla, geralmente sente-se que fazer oMOSFETa conduta não utiliza fluxo elétrico, mas apenas requer que a tensão GS seja superior a um determinado valor. É relativamente fácil fazer isso, precisamos principalmente de uma certa taxa.
Para a estrutura do MOSFET, podemos encontrar no GS, GD, haverá alguma capacitância parasita, e o acionamento do MOSFET, na verdade, é para carregar e descarregar a capacitância. Para o carregamento dos capacitores precisamos apenas de uma corrente, pois o capacitor no momento de carregamento é equivalente ao capacitor em curto-circuito, desta vez a corrente instantânea será maior que o valor da situação geral. Portanto, selecionamos ou projetamos o programa de circuito de acionamento MOSFET, a primeira coisa a prestar atenção ao tamanho da corrente de curto-circuito instantânea que pode ser fornecida.
Em segundo lugar, o NMOS, que é amplamente utilizado para acionamentos de ponta, deve permitir que a tensão da porta exceda a tensão da fonte quando conduz. MOSFET de unidade de última geração no tempo ligado, a tensão da fonte e o tamanho da tensão de dreno são os mesmos, então desta vez a tensão da porta deve ser 4V ou 10V maior que Vcc. Se no mesmo sistema você deseja obter uma tensão de porta maior que Vcc, você precisa se especializar em controlar o circuito de tensão. Muitos drivers de motor são compostos por bombas de carga, deve-se observar que devemos escolher o capacitor externo apropriado, de modo a obter corrente de curto-circuito suficiente para acionar o MOSFET.
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