WST8205 Canal N duplo 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Descrição Geral
O WST8205 é um MOSFET N-Ch de vala de alto desempenho com densidade de células extremamente alta, fornecendo excelente RDSON e carga de porta para a maioria das pequenas aplicações de comutação de energia e comutação de carga. O WST8205 atende aos requisitos RoHS e de produtos verdes com total aprovação de confiabilidade funcional.
Características
Nossa tecnologia avançada incorpora recursos inovadores que diferenciam este dispositivo de outros no mercado. Com trincheiras de alta densidade celular, esta tecnologia permite maior integração de componentes, levando a melhor desempenho e eficiência. Uma vantagem notável deste dispositivo é sua carga de porta extremamente baixa. Como resultado, requer um mínimo de energia para alternar entre os estados ligado e desligado, resultando na redução do consumo de energia e na melhoria da eficiência geral. Essa característica de baixa carga de porta o torna a escolha ideal para aplicações que exigem comutação de alta velocidade e controle preciso. Além disso, nosso dispositivo é excelente na redução dos efeitos Cdv/dt. Cdv/dt, ou a taxa de variação da tensão dreno-fonte ao longo do tempo, pode causar efeitos indesejáveis, como picos de tensão e interferência eletromagnética. Ao minimizar eficazmente estes efeitos, o nosso dispositivo garante um funcionamento fiável e estável, mesmo em ambientes exigentes e dinâmicos. Além da sua capacidade técnica, este dispositivo também é amigo do ambiente. Ele foi projetado pensando na sustentabilidade, levando em consideração fatores como eficiência energética e longevidade. Ao operar com a máxima eficiência energética, este dispositivo minimiza a sua pegada de carbono e contribui para um futuro mais verde. Em resumo, o nosso dispositivo combina tecnologia avançada com trincheiras de alta densidade celular, carga de porta extremamente baixa e excelente redução dos efeitos Cdv/dt. Com o seu design ecológico, não só proporciona desempenho e eficiência superiores, mas também se alinha com a crescente necessidade de soluções sustentáveis no mundo de hoje.
Aplicativos
Comutação de energia pequena síncrona de ponto de carga de alta frequência para sistema de energia DC-DC de rede MB / NB / UMPC / VGA, eletrônicos automotivos, luzes LED, áudio, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo, placas de proteção.
número do material correspondente
Aos ao6804a, nxp pmdt290une, panjit pjs6816, sinopower sm2630dsc, dintek dts5440, dts8205, dts5440, dts8205, ru8205c6.
Parâmetros importantes
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 20 | V |
| VGS | Tensão Gate-Fonte | ±12 | V |
| ID@Tc=25℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @ 4,5V1 | 5.8 | A |
| ID@Tc=70℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @ 4,5V1 | 3.8 | A |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada2 | 16 | A |
| PD@TA=25℃ | Dissipação total de energia3 | 2.1 | W |
| TSTG | Faixa de temperatura de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS = 0V, ID = 250ua | 20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referência a 25℃, ID=1mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO) | Fonte de drenagem estática sob resistência2 | VGS = 4,5 V, ID = 5,5A | --- | 24 | 28 | mΩ |
| VGS = 2,5 V, ID = 3,5A | --- | 30 | 45 | |||
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS = VDS, ID = 250uA | 0,5 | 0,7 | 1.2 | V |
| △VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th) | --- | -2,33 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutância direta | VDS=5V, ID=5A | --- | 25 | --- | S |
| Rg | Resistência do portão | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,5 | 3 | Ω |
| Qg | Carga total do portão (4,5 V) | VDS=10V, VGS=4,5V, ID=5,5A | --- | 8.3 | 11.9 | nC |
| Perguntas frequentes | Carga Gate-Fonte | --- | 1.4 | 2,0 | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 2.2 | 3.2 | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID = 5A, RL = 10Ω | --- | 5.7 | 11.6 | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 34 | 63 | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 22 | 46 | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 9,0 | 18.4 | ||
| Ciss | Capacitância de entrada | VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 625 | 889 | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 69 | 98 | ||
| Crss | Capacitância de transferência reversa | --- | 61 | 88 |
