WST2088A canal N 20V 7,5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

Pequena descrição:

Número do modelo:WST2088A

BVDSS:20V

RDSON:10,7mΩ

EU IA:7,5A

Canal:Canal N

Pacote:SOT-23-3L

Produto verão:A tensão do MOSFET WST2088A é 20V, a corrente é 7,5A, a resistência é 10,7mΩ, o canal é canal N e o pacote é SOT-23-3L.

Formulários:Cigarros eletrônicos, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo, etc.

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Detalhes do produto

Aplicativo

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Descrição geral

O WST2088A é o MOSFET N-ch de trincheira de mais alto desempenho com densidade de células extremamente alta, que fornece excelente RDSON e carga de porta para a maioria das pequenas aplicações de comutação de energia e comutação de carga.O WST2088A atende aos requisitos RoHS e de produto verde com confiabilidade total de função aprovada.

Características

Tecnologia avançada de trincheira de alta densidade celular, carga de portão super baixa, excelente declínio do efeito CDV/dt, dispositivo verde disponível

Formulários

Aplicação de comutação de energia, circuitos hard switch e de alta frequência, fonte de alimentação ininterrupta, cigarros eletrônicos, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo, etc.

número do material correspondente

AO AO3416, EM NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN, etc.

Parâmetros importantes

Características Elétricas (TJ=25 ℃, salvo indicação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Avaliação	Unidades
VDS	Tensão de fonte de drenagem	20	V
VGS	Tensão Gate-Fonte	±12	V
ID@Tc=25℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ 4,5V	7,5	A
ID@Tc=70℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ 4,5V	4,5	A
Deslocados internos	Corrente de drenagem pulsada	24	A
PD@TA=25℃	Dissipação total de energia	1,25	W
TSTG	Amplitude Térmica de armazenamento	-55 a 150	℃
TJ	Faixa de temperatura de junção operacional	-55 a 150	℃

Símbolo	Parâmetro	Condições	Min.	Tipo.	Máx.	Unidade
BVDSS	Tensão de ruptura da fonte de drenagem	VGS = 0V, ID = 250ua	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referência a 25°C, ID=1mA	---	0,018	---	V/℃
RDS(LIGADO)	Fonte de drenagem estática sob resistência2	VGS = 4,5 V, ID = 6A	---	10.7	14	mΩ
RDS(LIGADO)	Fonte de drenagem estática sob resistência2					mΩ
		VGS = 2,5 V, ID = 5A	---	12,8	17
VGS(º)	Tensão limite do portão	VGS = VDS, ID = 250uA	0,4	0,63	1.2	V
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS=16V, VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Corrente de fuga porta-fonte	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Carga total do portão	VDS=15V, VGS=4,5V, ID=6A	---	10	---	nC
Perguntas frequentes	Carga Gate-Fonte		---	1.6	---
Qgd	Carga de drenagem de portão		---	3.4	---
Td(ligado)	Tempo de atraso de ativação	VDS = 10 V, VGS = 4,5 V, RG = 3,3Ω ID = 1A	---	8	---	ns
Tr	Tempo de subida		---	15	---
Td(desligado)	Tempo de atraso para desligar		---	33	---
Tf	Tempo de outono		---	13	---
Ciss	Capacitância de entrada	VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	590	---	pF
Coss	Capacitância de saída		---	125	---
Crss	Capacitância de transferência reversa		---	90	---