WST2078 N&P Canal 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Descrição Geral
O WST2078 é o melhor MOSFET para pequenos interruptores e aplicações de carga. Possui alta densidade celular que fornece excelente RDSON e carga de porta. Ele atende aos requisitos RoHS e de Produtos Verdes e foi aprovado para confiabilidade funcional total.
Características
Tecnologia avançada com trincheiras de alta densidade celular, carga de porta extremamente baixa e excelente redução dos efeitos Cdv/dt. Este dispositivo também é ecologicamente correto.
Aplicativos
A comutação de pequena potência síncrona de ponto de carga de alta frequência é perfeita para uso em MB/NB/UMPC/VGA, sistemas de energia DC-DC de rede, interruptores de carga, cigarros eletrônicos, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos e consumidores eletrônica.
número do material correspondente
AOS AO6604 AO6608, VISHAY Si3585CDV, PANJIT PJS6601.
Parâmetros importantes
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades | |
| Canal N | Canal P | |||
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 20 | -20 | V |
| VGS | Tensão Gate-Fonte | ±12 | ±12 | V |
| ID@Tc=25℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @ 4,5V1 | 3.8 | -4,5 | A |
| ID@Tc=70℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @ 4,5V1 | 2.8 | -2,6 | A |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada2 | 20 | -13 | A |
| PD@TA=25℃ | Dissipação total de energia3 | 1.4 | 1.4 | W |
| TSTG | Faixa de temperatura de armazenamento | -55 a 150 | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS = 0V, ID = 250ua | 20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referência a 25℃, ID=1mA | --- | 0,024 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO) | Fonte de drenagem estática sob resistência2 | VGS = 4,5 V, ID = 3A | --- | 45 | 55 | mΩ |
| VGS = 2,5 V, ID = 1A | --- | 60 | 80 | |||
| VGS = 1,8 V, ID = 1A | --- | 85 | 120 | |||
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS = VDS, ID = 250uA | 0,5 | 0,7 | 1 | V |
| △VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th) | --- | -2,51 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±8V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutância direta | VDS=5V, ID=1A | --- | 8 | --- | S |
| Rg | Resistência do portão | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2,5 | 3.5 | Ω |
| Qg | Carga total do portão (4,5 V) | VDS=10V, VGS=10V, ID=3A | --- | 7,8 | --- | nC |
| Perguntas frequentes | Carga Gate-Fonte | --- | 1,5 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 2.1 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID = 3A RL = 10Ω | --- | 2.4 | 4.3 | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 13 | 23 | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 15 | 28 | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 3 | 5.5 | ||
| Ciss | Capacitância de entrada | VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 450 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 51 | --- | ||
| Crss | Capacitância de transferência reversa | --- | 52 | --- |
