WST2078 N&P Canal 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

Pequena descrição:

Número do modelo:WST2078

BVDSS:20V/-20V

RDSON:45mΩ/65mΩ

EU IA:3,8A/-4,5A

Canal:Canal N&P

Pacote:SOT-23-6L

Produto verão:O MOSFET WST2078 possui classificações de tensão de 20V e -20V.Ele pode suportar correntes de 3,8A e -4,5A e possui valores de resistência de 45mΩ e 65mΩ.O MOSFET possui recursos de canal N&P e vem em um pacote SOT-23-6L.

Formulários:Cigarros eletrônicos, controladores, produtos digitais, eletrodomésticos e eletrônicos de consumo.

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Detalhes do produto

Aplicativo

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Descrição geral

O WST2078 é o melhor MOSFET para pequenos interruptores e aplicações de carga.Possui alta densidade celular que fornece excelente RDSON e carga de porta.Ele atende aos requisitos RoHS e de Produtos Verdes e foi aprovado para confiabilidade funcional total.

Características

Tecnologia avançada com trincheiras de alta densidade celular, carga de porta extremamente baixa e excelente redução dos efeitos Cdv/dt.Este dispositivo também é ecologicamente correto.

Formulários

A comutação de pequena potência síncrona de ponto de carga de alta frequência é perfeita para uso em MB/NB/UMPC/VGA, sistemas de energia DC-DC de rede, interruptores de carga, cigarros eletrônicos, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos e consumidores eletrônicos.

número do material correspondente

AOS AO6604 AO6608, VISHAY Si3585CDV, PANJIT PJS6601.

Parâmetros importantes

Símbolo	Parâmetro	Avaliação		Unidades
Símbolo	Parâmetro	Canal N	Canal P	Unidades
VDS	Tensão de fonte de drenagem	20	-20	V
VGS	Tensão Gate-Fonte	±12	±12	V
ID@Tc=25℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ 4,5V1	3.8	-4,5	A
ID@Tc=70℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ 4,5V1	2.8	-2,6	A
IDM	Corrente de drenagem pulsada2	20	-13	A
PD@TA=25℃	Dissipação total de energia3	1.4	1.4	W
TSTG	Amplitude Térmica de armazenamento	-55 a 150	-55 a 150	℃
TJ	Faixa de temperatura de junção operacional	-55 a 150	-55 a 150	℃

Símbolo	Parâmetro	Condições	Min.	Tipo.	Máx.	Unidade
BVDSS	Tensão de ruptura da fonte de drenagem	VGS = 0V, ID = 250ua	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referência a 25℃, ID=1mA	---	0,024	---	V/℃
RDS(LIGADO)	Fonte de drenagem estática sob resistência2	VGS = 4,5 V, ID = 3A	---	45	55	mΩ
		VGS = 2,5 V, ID = 1A	---	60	80
		VGS = 1,8 V, ID = 1A	---	85	120
VGS(º)	Tensão limite do portão	VGS = VDS, ID = 250uA	0,5	0,7	1	V
△VGS(th)	Coeficiente de temperatura VGS(th)	VGS = VDS, ID = 250uA	---	-2,51	---	mV/℃
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Corrente de fuga porta-fonte	VGS=±8V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transcondutância direta	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Resistência do portão	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2,5	3.5	Ω
Qg	Carga total do portão (4,5V)	VDS=10V, VGS=10V, ID=3A	---	7,8	---	nC
Perguntas frequentes	Carga Gate-Fonte		---	1,5	---
Qgd	Carga de drenagem de portão		---	2.1	---
Td(ligado)	Tempo de atraso de ativação	VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID = 3A RL = 10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Tempo de subida		---	13	23
Td(desligado)	Tempo de atraso para desligar		---	15	28
Tf	Tempo de outono		---	3	5.5
Ciss	Capacitância de entrada	VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	450	---	pF
Coss	Capacitância de saída		---	51	---
Crss	Capacitância de transferência reversa		---	52	---