WST2011 Canal P duplo -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Descrição geral
Os MOSFETs WST2011 são os transistores P-ch mais avançados disponíveis, apresentando densidade de células incomparável.Eles oferecem desempenho excepcional, com baixo RDSON e carga de porta, tornando-os ideais para pequenas aplicações de comutação de energia e comutação de carga.Além disso, o WST2011 atende aos padrões RoHS e de Produtos Verdes e possui aprovação de confiabilidade para todas as funções.
Características
A tecnologia avançada Trench permite maior densidade celular, resultando em um dispositivo verde com carga de porta super baixa e excelente declínio do efeito CdV/dt.
Formulários
A comutação de pequena potência síncrona de ponto de carga de alta frequência é adequada para uso em MB/NB/UMPC/VGA, sistemas de energia DC-DC de rede, interruptores de carga, cigarros eletrônicos, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos e eletrônicos de consumo .
número do material correspondente
EM FDC634P, VISHAY Si3443DDV, NXP PMDT670UPE,
Parâmetros importantes
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades | |
| 10s | Curso estável | |||
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | -20 | V | |
| VGS | Tensão Gate-Fonte | ±12 | V | |
| ID@TA=25℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @ -4,5V1 | -3,6 | -3.2 | A |
| ID@TA=70℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @ -4,5V1 | -2,6 | -2,4 | A |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada2 | -12 | A | |
| PD@TA=25℃ | Dissipação total de energia3 | 1.7 | 1.4 | W |
| PD@TA=70℃ | Dissipação total de energia3 | 1.2 | 0,9 | W |
| TSTG | Amplitude Térmica de armazenamento | -55 a 150 | ℃ | |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | ℃ | |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS=0V,ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referência a 25℃, ID=-1mA | --- | -0,011 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO) | Fonte de drenagem estática sob resistência2 | VGS=-4,5V, ID=-2A | --- | 80 | 85 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-1A | --- | 95 | 115 | |||
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS = VDS, ID = -250uA | -0,5 | -1,0 | -1,5 | V |
| △VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th) | --- | 3,95 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=-16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutância direta | VDS=-5V, ID=-2A | --- | 8,5 | --- | S |
| Qg | Carga total do portão (-4,5V) | VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-2A | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
| Perguntas frequentes | Carga Gate-Fonte | --- | 1.1 | 1.7 | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 1.1 | 2.9 | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=-15V, VGS=-4,5V, RG=3,3Ω, ID=-2A | --- | 7.2 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 9.3 | --- | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 15.4 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 3.6 | --- | ||
| Ciss | Capacitância de entrada | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 750 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 95 | --- | ||
| Crss | Capacitância de transferência reversa | --- | 68 | --- |
