WSR200N08 canal N 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

Pequena descrição:

Número do modelo:WSR200N08

BVDSS:80V

RDSON:2,9mΩ

EU IA:200A

Canal:Canal N

Pacote:TO-220-3L

Produto verão:O MOSFET WSR200N08 pode suportar até 80 volts e 200 amperes com uma resistência de 2,9 miliohms.É um dispositivo de canal N e vem em um pacote TO-220-3L.

Formulários:Cigarros eletrônicos, carregadores sem fio, motores, sistemas de gerenciamento de baterias, fontes de energia de reserva, veículos aéreos não tripulados, dispositivos de saúde, equipamentos de carregamento de veículos elétricos, unidades de controle, máquinas de impressão 3D, dispositivos eletrônicos, pequenos eletrodomésticos e eletrônicos de consumo.

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Detalhes do produto

Aplicativo

Etiquetas de produto

Descrição geral

O WSR200N08 é o MOSFET N-Ch de trincheira de mais alto desempenho com densidade de célula extremamente alta, que fornece excelente RDSON e carga de porta para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono.O WSR200N08 atende aos requisitos RoHS e Produto Verde, 100% EAS garantido com confiabilidade de função total aprovada.

Características

Tecnologia avançada de trincheira de alta densidade celular, carga de portão super baixa, excelente declínio do efeito CdV/dt, 100% EAS garantido, dispositivo verde disponível.

Formulários

Aplicação de comutação, gerenciamento de energia para sistemas inversores, cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, BMS, fontes de alimentação de emergência, drones, médicos, carregamento de carros, controladores, impressoras 3D, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo, etc.

número do material correspondente

AO AOT480L, EM FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, etc.

Parâmetros importantes

Características Elétricas (TJ=25℃, salvo indicação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Avaliação	Unidades
VDS	Tensão de fonte de drenagem	80	V
VGS	Tensão Gate-Fonte	±25	V
ID@TC=25℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1	200	A
ID@TC=100℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1	144	A
IDM	Corrente de drenagem pulsada2,TC=25°C	790	A
EAS	Energia de avalanche, pulso único, L=0,5mH	1496	mJ
IAS	Corrente de avalanche, pulso único, L=0,5mH	200	A
PD@TC=25℃	Dissipação Total de Energia4	345	W
PD@TC=100℃	Dissipação Total de Energia4	173	W
TSTG	Amplitude Térmica de armazenamento	-55 a 175	℃
TJ	Faixa de temperatura de junção operacional	175	℃

Símbolo	Parâmetro	Condições	Min.	Tipo.	Máx.	Unidade
BVDSS	Tensão de ruptura da fonte de drenagem	VGS = 0V, ID = 250ua	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referência a 25°C, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(LIGADO)	Fonte de drenagem estática sob resistência2	VGS=10V,ID=100A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS(º)	Tensão limite do portão	VGS = VDS, ID = 250uA	2,0	3,0	4,0	V
△VGS(th)	Coeficiente de temperatura VGS(th)	VGS = VDS, ID = 250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS = 80 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃	---	---	10	uA
IGSS	Corrente de fuga porta-fonte	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Resistência do portão	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Carga total do portão (10V)	VDS=80V, VGS=10V, ID=30A	---	197	---	nC
Perguntas frequentes	Carga Gate-Fonte		---	31	---
Qgd	Carga de drenagem de portão		---	75	---
Td(ligado)	Tempo de atraso de ativação	VDD=50V, VGS=10V,RG=3Ω, ID=30A	---	28	---	ns
Tr	Tempo de subida		---	18	---
Td(desligado)	Tempo de atraso para desligar		---	42	---
Tf	Tempo de outono		---	54	---
Ciss	Capacitância de entrada	VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	8154	---	pF
Coss	Capacitância de saída		---	1029	---
Crss	Capacitância de transferência reversa		---	650	---