WSR140N12 canal N 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

Pequena descrição:

Número do modelo:WSR140N12

BVDSS:120V

RDSON:5mΩ

EU IA:140A

Canal:Canal N

Pacote:TO-220-3L

Produto verão:A tensão do MOSFET WSR140N12 é 120V, a corrente é 140A, a resistência é 5mΩ, o canal é canal N e o pacote é TO-220-3L.

Formulários:Fonte de alimentação, dispositivos médicos, principais, BMS etc.

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Detalhes do produto

Aplicativo

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Descrição geral

O WSR140N12 é o MOSFET N-ch de trincheira de mais alto desempenho com densidade de célula extremamente alta, que fornece excelente RDSON e carga de porta para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono.O WSR140N12 atende aos requisitos RoHS e de produto verde, 100% EAS garantido com confiabilidade de função total aprovada.

Características

Tecnologia avançada de trincheira de alta densidade celular, carga de porta super baixa, excelente declínio do efeito CdV/dt, 100% EAS garantido, dispositivo verde disponível.

Formulários

Conversor Buck síncrono de ponto de carga de alta frequência, sistema de energia DC-DC de rede, fonte de alimentação, dispositivos médicos, principais, BMS etc.

número do material correspondente

ST STP40NF12 etc.

Parâmetros importantes

Símbolo	Parâmetro	Avaliação	Unidades
VDS	Tensão de fonte de drenagem	120	V
VGS	Tensão Gate-Fonte	±20	V
ID	Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V (TC = 25 ℃)	140	A
IDM	Corrente de drenagem pulsada	330	A
EAS	Energia de avalanche de pulso único	400	mJ
PD	Dissipação total de energia... C = 25 ℃)	192	W
RθJA	Resistência térmica, junção-ambiente	62	℃/W
RθJC	Resistência térmica, caixa de junção	0,65	℃/W
TSTG	Amplitude Térmica de armazenamento	-55 a 150	℃
TJ	Faixa de temperatura de junção operacional	-55 a 150	℃

Símbolo	Parâmetro	Condições	Min.	Tipo.	Máx.	Unidade
BVDSS	Tensão de ruptura da fonte de drenagem	VGS = 0V, ID = 250ua	120	---	---	V
RDS(LIGADO)	Fonte de drenagem estática sob resistência2	VGS = 10 V, ID = 30A	---	5,0	6,5	mΩ
VGS(º)	Tensão limite do portão	VGS = VDS, ID = 250uA	2,0	---	4,0	V
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS = 120 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	Corrente de fuga porta-fonte	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Carga total do portão	VDS=50V, VGS=10V, ID=15A	---	68,9	---	nC
Perguntas frequentes	Carga Gate-Fonte		---	18.1	---
Qgd	Carga de drenagem de portão		---	15,9	---
Td(ligado)	Tempo de atraso de ativação	VDD=50V, VGS=10VRG=2Ω,ID=25A	---	30.3	---	ns
Tr	Tempo de subida		---	33,0	---
Td(desligado)	Tempo de atraso para desligar		---	59,5	---
Tf	Tempo de outono		---	11.7	---
Ciss	Capacitância de entrada	VDS = 50 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	5823	---	pF
Coss	Capacitância de saída		---	778,3	---
Crss	Capacitância de transferência reversa		---	17,5	---