WSP6067A Canal N&P 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

Pequena descrição:

Número do modelo:WSP6067A

BVDSS:60V/-60V

RDSON:38mΩ/80mΩ

EU IA:7A/-5A

Canal:Canal N&P

Pacote:POP-8

Produto verão:O MOSFET WSP6067A tem uma faixa de tensão de 60 volts positivos e negativos, uma faixa de corrente de 7 amperes positivos e 5 amperes negativos, uma faixa de resistência de 38 miliohms e 80 miliohms, um canal N&P e é embalado em SOP-8.

Formulários:Cigarros eletrônicos, carregadores sem fio, motores, drones, cuidados de saúde, carregadores de carro, controles, dispositivos digitais, pequenos eletrodomésticos e eletrônicos para consumidores.

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Detalhes do produto

Aplicativo

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Descrição geral

Os MOSFETs WSP6067A são os mais avançados para tecnologia de trincheira P-ch, com altíssima densidade de células.Eles oferecem excelente desempenho em termos de RDSON e carga de porta, adequados para a maioria dos conversores Buck síncronos.Esses MOSFETs atendem aos critérios RoHS e Produtos Verdes, com 100% EAS garantindo total confiabilidade funcional.

Características

A tecnologia avançada permite a formação de trincheiras celulares de alta densidade, resultando em carga de porta super baixa e decaimento superior do efeito CdV/dt.Nossos dispositivos vêm com garantia 100% EAS e são ecologicamente corretos.

Formulários

Conversor Buck síncrono de ponto de carga de alta frequência, sistema de energia DC-DC de rede, interruptor de carga, cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, drones, equipamentos médicos, carregadores de carro, controladores, dispositivos eletrônicos, pequenos eletrodomésticos e eletrônicos de consumo .

número do material correspondente

AOS

Parâmetros importantes

Símbolo	Parâmetro	Avaliação		Unidades
Símbolo	Parâmetro	Canal N	Canal P	Unidades
VDS	Tensão de fonte de drenagem	60	-60	V
VGS	Tensão Gate-Fonte	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1	7,0	-5,0	A
ID@TC=100℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1	4,0	-2,5	A
IDM	Corrente de drenagem pulsada2	28	-20	A
EAS	Energia de avalanche de pulso único3	22	28	mJ
IAS	Corrente de Avalanche	21	-24	A
PD@TC=25℃	Dissipação Total de Energia4	2,0	2,0	W
TSTG	Amplitude Térmica de armazenamento	-55 a 150	-55 a 150	℃
TJ	Faixa de temperatura de junção operacional	-55 a 150	-55 a 150	℃

Símbolo	Parâmetro	Condições	Min.	Tipo.	Máx.	Unidade
BVDSS	Tensão de ruptura da fonte de drenagem	VGS = 0V, ID = 250ua	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referência a 25℃, ID=1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS(LIGADO)	Fonte de drenagem estática sob resistência2	VGS = 10 V, ID = 5A	---	38	52	mΩ
RDS(LIGADO)	Fonte de drenagem estática sob resistência2	VGS = 4,5 V, ID = 4A	---	55	75	mΩ
VGS(º)	Tensão limite do portão	VGS = VDS, ID = 250uA	1	2	3	V
△VGS(th)	Coeficiente de temperatura VGS(th)	VGS = VDS, ID = 250uA	---	-5,24	---	mV/℃
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Corrente de fuga porta-fonte	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transcondutância direta	VDS = 5 V, ID = 4A	---	28	---	S
Rg	Resistência do portão	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.8	4.3	Ω
Qg	Carga total do portão (4,5V)	VDS=48V, VGS=4,5V, ID=4A	---	19	25	nC
Perguntas frequentes	Carga Gate-Fonte		---	2.6	---
Qgd	Carga de drenagem de portão		---	4.1	---
Td(ligado)	Tempo de atraso de ativação	VDD=30V, VGS=10V, RG = 3,3Ω, ID = 1A	---	3	---	ns
Tr	Tempo de subida		---	34	---
Td(desligado)	Tempo de atraso para desligar		---	23	---
Tf	Tempo de outono		---	6	---
Ciss	Capacitância de entrada	VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	1027	---	pF
Coss	Capacitância de saída		---	65	---
Crss	Capacitância de transferência reversa		---	45	---