WSP4888 Canal N duplo 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

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WSP4888 Canal N duplo 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

Pequena descrição:


  • Número do modelo:WSP4888
  • BVDSS:30V
  • RDSON:13,5mΩ
  • EU IA:9,8A
  • Canal:Canal N duplo
  • Pacote:POP-8
  • Produto verão:A tensão do MOSFET WSP4888 é 30V, a corrente é 9,8A, a resistência é 13,5mΩ, o canal é Dual N-Channel e o pacote é SOP-8.
  • Formulários:Cigarros eletrônicos, carregadores sem fio, motores, drones, cuidados de saúde, carregadores de carro, controles, dispositivos digitais, pequenos eletrodomésticos e eletrônicos para consumidores.
  • Detalhes do produto

    Aplicativo

    Etiquetas de produto

    Descrição geral

    O WSP4888 é um transistor de alto desempenho com estrutura celular densa, ideal para uso em conversores Buck síncronos.Possui excelentes taxas de RDSON e gate, tornando-o a melhor escolha para essas aplicações.Além disso, o WSP4888 atende aos requisitos RoHS e de produtos ecológicos e vem com garantia 100% EAS para funcionamento confiável.

    Características

    A Advanced Trench Technology apresenta alta densidade celular e carga de gate super baixa, reduzindo significativamente o efeito CdV/dt.Nossos dispositivos vêm com garantia 100% EAS e opções ecologicamente corretas.

    Nossos MOSFETs passam por rigorosas medidas de controle de qualidade para garantir que atendam aos mais altos padrões da indústria.Cada unidade é exaustivamente testada quanto ao desempenho, durabilidade e confiabilidade, garantindo uma longa vida útil do produto.Seu design robusto permite suportar condições extremas de trabalho, garantindo a funcionalidade ininterrupta do equipamento.

    Preços competitivos: Apesar da sua qualidade superior, os nossos MOSFETs têm preços altamente competitivos, proporcionando poupanças de custos significativas sem comprometer o desempenho.Acreditamos que todos os consumidores devem ter acesso a produtos de alta qualidade e a nossa estratégia de preços reflete esse compromisso.

    Ampla compatibilidade: Nossos MOSFETs são compatíveis com uma variedade de sistemas eletrônicos, tornando-os uma escolha versátil para fabricantes e usuários finais.Ele se integra perfeitamente aos sistemas existentes, melhorando o desempenho geral sem exigir grandes modificações no projeto.

    Formulários

    Conversor Buck síncrono de ponto de carga de alta frequência para uso em sistemas MB/NB/UMPC/VGA, sistemas de energia DC-DC de rede, interruptores de carga, cigarros eletrônicos, carregadores sem fio, motores, drones, equipamentos médicos, carregadores de carro, controladores , Produtos Digitais, Pequenos Eletrodomésticos e Eletrônicos de Consumo.

    número do material correspondente

    AOS AO4832 AO4838 AO4914, EM NTMS4916N, VISHAY Si4128DY, INFINEON BSO150N03MD G, Sinopower SM4803DSK, dintek DTM4926 DTM4936, ruichips RU30D10H

    Parâmetros importantes

    Símbolo Parâmetro Avaliação Unidades
    VDS Tensão de fonte de drenagem 30 V
    VGS Tensão Gate-Fonte ±20 V
    ID@TC=25℃ Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1 9,8 A
    ID@TC=70℃ Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1 8,0 A
    IDM Corrente de drenagem pulsada2 45 A
    EAS Energia de avalanche de pulso único3 25 mJ
    IAS Corrente de Avalanche 12 A
    PD@TA=25℃ Dissipação Total de Energia4 2,0 W
    TSTG Amplitude Térmica de armazenamento -55 a 150
    TJ Faixa de temperatura de junção operacional -55 a 150
    Símbolo Parâmetro Condições Min. Tipo. Máx. Unidade
    BVDSS Tensão de ruptura da fonte de drenagem VGS = 0V, ID = 250ua 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficiente de temperatura BVDSS Referência a 25℃, ID=1mA --- 0,034 --- V/℃
    RDS(LIGADO) Fonte de drenagem estática sob resistência2 VGS=10V, ID=8,5A --- 13,5 18
           
        VGS = 4,5 V, ID = 5A --- 18 25  
    VGS(º) Tensão limite do portão VGS = VDS, ID = 250uA 1,5 1,8 2,5 V
               
    △VGS(th) Coeficiente de temperatura VGS(th)   --- -5,8 --- mV/℃
    IDSS Corrente de fuga da fonte de drenagem VDS = 24 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ --- --- 1 uA
           
        VDS = 24 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ --- --- 5  
    IGSS Corrente de fuga porta-fonte VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Transcondutância direta VDS=5V, ID=8A --- 9 --- S
    Rg Resistência do portão VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,8 2.9 Ω
    Qg Carga total do portão (4,5V) VDS=15V, VGS=4,5V, ID=8,8A --- 6 8.4 nC
    Perguntas frequentes Carga Gate-Fonte --- 1,5 ---
    Qgd Carga de drenagem de portão --- 2,5 ---
    Td(ligado) Tempo de atraso de ativação VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω

    ID=1A,RL=15Ω

    --- 7,5 9,8 ns
    Tr Tempo de subida --- 9.2 19
    Td(desligado) Tempo de atraso para desligar --- 19 34
    Tf Tempo de outono --- 4.2 8
    Ciss Capacitância de entrada VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz --- 590 701 pF
    Coss Capacitância de saída --- 98 112
    Crss Capacitância de transferência reversa --- 59 91

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