WSP4447 Canal P -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET
Descrição geral
O WSP4447 é um MOSFET de alto desempenho que utiliza tecnologia de trincheira e possui alta densidade de células.Ele oferece excelente RDSON e carga de porta, tornando-o adequado para uso na maioria das aplicações de conversor Buck síncrono.O WSP4447 atende aos padrões RoHS e de produtos verdes e vem com garantia 100% EAS para total confiabilidade.
Características
A tecnologia avançada Trench permite maior densidade celular, resultando em um dispositivo verde com carga de porta super baixa e excelente declínio do efeito CdV/dt.
Formulários
Conversor de alta frequência para uma variedade de eletrônicos
Este conversor foi projetado para alimentar com eficiência uma ampla gama de dispositivos, incluindo laptops, consoles de jogos, equipamentos de rede, cigarros eletrônicos, carregadores sem fio, motores, drones, dispositivos médicos, carregadores de carro, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos e produtos de consumo. eletrônicos.
número do material correspondente
AOS AO4425 AO4485, EM FDS4675, VISHAY Si4401FDY, ST STS10P4LLF6, TOSHIBA TPC8133, PANJIT PJL9421, Sinopower SM4403PSK, RUICHIPS RU40L10H.
Parâmetros importantes
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | -40 | V |
| VGS | Tensão Gate-Fonte | ±20 | V |
| ID@TA=25℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @ -10V1 | -11 | A |
| ID@TA=70℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @ -10V1 | -9,0 | A |
| IDM a | Corrente de drenagem pulsada de 300µs (VGS=-10V) | -44 | A |
| EAS-b | Energia de avalanche, pulso único (L=0,1mH) | 54 | mJ |
| IASb | Corrente de avalanche, pulso único (L=0,1mH) | -33 | A |
| PD@TA=25℃ | Dissipação Total de Energia4 | 2,0 | W |
| TSTG | Amplitude Térmica de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS=0V,ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referência a 25℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO) | Fonte de drenagem estática sob resistência2 | VGS=-10V, ID=-13A | --- | 13 | 16 | mΩ |
| VGS=-4,5V, ID=-5A | --- | 18 | 26 | |||
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS = VDS, ID = -250uA | -1,4 | -1,9 | -2,4 | V |
| △VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th) | --- | 5.04 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutância direta | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 18 | --- | S |
| Qg | Carga total do portão (-4,5V) | VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-11A | --- | 32 | --- | nC |
| Perguntas frequentes | Carga Gate-Fonte | --- | 5.2 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 8 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=-20V, VGS=-10V, RG = 6Ω, ID = -1A, RL = 20Ω | --- | 14 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 12 | --- | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 41 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | Capacitância de entrada | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1500 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 235 | --- | ||
| Crss | Capacitância de transferência reversa | --- | 180 | --- |
