WSP4099 Canal P duplo -40V -6,5A SOP-8 WINSOK MOSFET

breve descrição:

Número do modelo:WSP4099

BVDSS:-40V

RDSON:30mΩ

EU IA:-6,5A

Canal:Canal P duplo

Pacote:POP-8

Produto verão:O MOSFET WSP4099 tem tensão de -40V, corrente de -6,5A, resistência de 30mΩ, canal P duplo e vem em um pacote SOP-8.

Aplicações:Cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, drones, médicos, carregadores de automóveis, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo.

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Detalhes do produto

Aplicativo

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Descrição Geral

O WSP4099 é um poderoso MOSFET de trincheira P-ch com alta densidade de células. Ele oferece excelente RDSON e carga de porta, tornando-o adequado para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono. Ele atende aos padrões RoHS e GreenProduct e possui 100% de garantia EAS com aprovação de confiabilidade de função total.

Características

Tecnologia avançada de trincheira com alta densidade celular, carga de gate ultrabaixa, excelente decaimento do efeito CdV/dt e garantia de 100% EAS são todos recursos de nossos dispositivos verdes que estão prontamente disponíveis.

Aplicativos

Conversor Buck síncrono de ponto de carga de alta frequência para MB / NB / UMPC / VGA, sistema de energia DC-DC de rede, interruptor de carga, cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, drones, cuidados médicos, carregadores de carro, controladores, produtos digitais , pequenos eletrodomésticos e eletrônicos de consumo.

número do material correspondente

EM FDS4685, VISHAY Si4447ADY, TOSHIBA TPC8227-H, PANJIT PJL9835A, Sinopower SM4405BSK, dintek DTM4807, ruichips RU40S4H.

Parâmetros importantes

Símbolo	Parâmetro	Avaliação	Unidades
VDS	Tensão de fonte de drenagem	-40	V
VGS	Tensão Gate-Fonte	±20	V
ID@TC=25℃	Corrente de drenagem contínua, -VGS @ -10V1	-6,5	A
ID@TC=100℃	Corrente de drenagem contínua, -VGS @ -10V1	-4,5	A
IDM	Corrente de drenagem pulsada2	-22	A
EAS	Energia de avalanche de pulso único3	25	mJ
IAS	Corrente de Avalanche	-10	A
PD@TC=25℃	Dissipação Total de Energia4	2,0	W
TSTG	Faixa de temperatura de armazenamento	-55 a 150	℃
TJ	Faixa de temperatura de junção operacional	-55 a 150	℃

Símbolo	Parâmetro	Condições	Min.	Tipo.	Máx.	Unidade
BVDSS	Tensão de ruptura da fonte de drenagem	VGS=0V,ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referência a 25℃, ID=-1mA	---	-0,02	---	V/℃
RDS(LIGADO)	Fonte de drenagem estática sob resistência2	VGS=-10V, ID=-6,5A	---	30	38	mΩ
RDS(LIGADO)	Fonte de drenagem estática sob resistência2	VGS=-4,5V, ID=-4,5A	---	46	62	mΩ
VGS(º)	Tensão limite do portão	VGS = VDS, ID = -250uA	-1,5	-2,0	-2,5	V
△VGS(th)	Coeficiente de temperatura VGS(th)	VGS = VDS, ID = -250uA	---	3,72	---	V/℃
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Corrente de fuga porta-fonte	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transcondutância direta	VDS=-5V, ID=-4A	---	8	---	S
Qg	Carga total do portão (-4,5V)	VDS=-20V, VGS=-4,5V, ID=-6,5A	---	7,5	---	nC
Perguntas frequentes	Carga Gate-Fonte		---	2.4	---
Qgd	Carga de drenagem de portão		---	3.5	---
Td(ligado)	Tempo de atraso de ativação	VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω	---	8.7	---	ns
Tr	Tempo de subida		---	7	---
Td(desligado)	Tempo de atraso para desligar		---	31	---
Tf	Tempo de outono		---	17	---
Ciss	Capacitância de entrada	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	668	---	pF
Coss	Capacitância de saída		---	98	---
Crss	Capacitância de transferência reversa		---	72	---