WSP4099 Canal P duplo -40V -6,5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Descrição geral
O WSP4099 é um poderoso MOSFET de trincheira P-ch com alta densidade de células.Ele oferece excelente RDSON e carga de porta, tornando-o adequado para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono.Ele atende aos padrões RoHS e GreenProduct e possui 100% de garantia EAS com aprovação de confiabilidade de função total.
Características
A avançada tecnologia Trench com alta densidade celular, carga de gate ultrabaixa, excelente decaimento do efeito CdV/dt e garantia de 100% EAS são todos recursos de nossos dispositivos verdes que estão prontamente disponíveis.
Formulários
Conversor Buck síncrono de ponto de carga de alta frequência para MB / NB / UMPC / VGA, sistema de energia DC-DC de rede, interruptor de carga, cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, drones, cuidados médicos, carregadores de carro, controladores, produtos digitais , pequenos eletrodomésticos e eletrônicos de consumo.
número do material correspondente
EM FDS4685, VISHAY Si4447ADY, TOSHIBA TPC8227-H, PANJIT PJL9835A, Sinopower SM4405BSK, dintek DTM4807, ruichips RU40S4H.
Parâmetros importantes
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | -40 | V |
| VGS | Tensão Gate-Fonte | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente de drenagem contínua, -VGS @ -10V1 | -6,5 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrente de drenagem contínua, -VGS @ -10V1 | -4,5 | A |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada2 | -22 | A |
| EAS | Energia de avalanche de pulso único3 | 25 | mJ |
| IAS | Corrente de Avalanche | -10 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipação Total de Energia4 | 2,0 | W |
| TSTG | Amplitude Térmica de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS=0V,ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referência a 25℃, ID=-1mA | --- | -0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO) | Fonte de drenagem estática sob resistência2 | VGS=-10V, ID=-6,5A | --- | 30 | 38 | mΩ |
| VGS=-4,5V, ID=-4,5A | --- | 46 | 62 | |||
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS = VDS, ID = -250uA | -1,5 | -2,0 | -2,5 | V |
| △VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th) | --- | 3,72 | --- | V/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutância direta | VDS=-5V, ID=-4A | --- | 8 | --- | S |
| Qg | Carga total do portão (-4,5V) | VDS=-20V, VGS=-4,5V, ID=-6,5A | --- | 7,5 | --- | nC |
| Perguntas frequentes | Carga Gate-Fonte | --- | 2.4 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 3.5 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω | --- | 8.7 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 7 | --- | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 31 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 17 | --- | ||
| Ciss | Capacitância de entrada | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 668 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 98 | --- | ||
| Crss | Capacitância de transferência reversa | --- | 72 | --- |
