WSP4088 canal N 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

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WSP4088 canal N 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

breve descrição:


  • Número do modelo:WSP4088
  • BVDSS:40V
  • RDSON:13mΩ
  • EU IA:11A
  • Canal:Canal N
  • Pacote:POP-8
  • Produto verão:A tensão do MOSFET WSP4088 é 40V, a corrente é 11A, a resistência é 13mΩ, o canal é canal N e o pacote é SOP-8.
  • Aplicações:Cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, drones, médicos, carregamento de carros, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo, etc.
  • Detalhes do produto

    Aplicativo

    Etiquetas de produto

    Descrição Geral

    O WSP4088 é o MOSFET de canal N de trincheira de mais alto desempenho com densidade de célula muito alta, fornecendo excelente RDSON e carga de porta para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono. WSP4088 está em conformidade com RoHS e requisitos de produtos verdes, garantia 100% EAS, confiabilidade de função total aprovada.

    Características

    Dispositivos confiáveis ​​e robustos, sem chumbo e ecológicos disponíveis

    Aplicativos

    Gerenciamento de energia em computadores desktop ou conversores DC/DC, cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, drones, médicos, carregamento de carros, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo, etc.

    número do material correspondente

    AO AO4884 AO4882, EM FDS4672A, PANJIT PJL9424, DINTEK DTM4916 etc.

    Parâmetros importantes

    Classificações máximas absolutas (TA = 25 C, salvo indicação em contrário)

    Símbolo Parâmetro   Avaliação Unidade
    Avaliações comuns    
    VDSS Tensão de fonte de drenagem   40 V
    VGSS Tensão Gate-Fonte   ±20
    TJ Temperatura máxima de junção   150 °C
    TSTG Faixa de temperatura de armazenamento   -55 a 150
    IS Corrente direta contínua de diodo TA=25°C 2 A
    ID Corrente de drenagem contínua TA=25°C 11 A
    AT=70°C 8.4
    IDM a Corrente de drenagem pulsada TA=25°C 30
    PD Dissipação Máxima de Potência TA=25°C 2.08 W
    AT=70°C 1.3
    RqJA Resistência Térmica - Junção ao Ambiente £ 10s 30 °C/W
    Curso estável 60
    RqJL Junção de resistência térmica para chumbo Curso estável 20
    IASb Corrente de avalanche, pulso único L=0,1mH 23 A
    EAS-b Energia Avalanche, pulso único L=0,1mH 26 mJ

    Nota a:Máx. a corrente é limitada pelo fio de ligação.
    Nota b:UIS testado e largura de pulso limitada pela temperatura máxima de junção de 150oC (temperatura inicial Tj=25oC).

    Características elétricas (TA = 25 C, salvo indicação em contrário)

    Símbolo Parâmetro Condições de teste Min. Tipo. Máx. Unidade
    Características estáticas
    BVDSS Tensão de ruptura da fonte de drenagem VGS=0V, IDS=250mA 40 - - V
    IDSS Corrente de drenagem de tensão de porta zero VDS=32V, VGS=0V - - 1 mA
    TJ=85°C - - 30
    VGS(º) Tensão limite do portão VDS=VGS, IDS=250mA 1,5 1,8 2,5 V
    IGSS Corrente de fuga do portão VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
    RDS(LIGADO) c Resistência no estado da fonte de drenagem VGS=10V, IDS=7A - 10,5 13 mW
    TJ=125°C - 15,75 -
    VGS = 4,5 V, IDS = 5A - 12 16
    Gfs Transcondutância direta VDS=5V, IDS=15A - 31 - S
    Características do diodo
    DSV c Tensão direta do diodo ISD=10A, VGS=0V - 0,9 1.1 V
    trr Tempo de recuperação reversa VDD=20V,ISD=10A, dlSD/dt=100A/ms - 15.2 - ns
    ta Tempo de carregamento - 9.4 -
    tb Tempo de alta - 5.8 -
    QR Cobrança de recuperação reversa - 9,5 - nC
    Características Dinâmicas d
    RG Resistência do portão VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz 0,7 1.1 1,8 W
    Ciss Capacitância de entrada VGS=0V,VDS=20V,Frequência=1,0MHz - 1125 - pF
    Coss Capacitância de saída - 132 -
    Crss Capacitância de transferência reversa - 70 -
    td(ON) Tempo de atraso de ativação VDD=20V, RL=20W,IDS=1A, VGEN=10V, RG=1W - 12.6 - ns
    tr Tempo de subida de ativação - 10 -
    td(DESLIGADO) Tempo de atraso para desligar - 23,6 -
    tf Desligue o tempo de queda - 6 -
    Características de carga do portão d
    Qg Carga total do portão VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=7A - 9.4 - nC
    Qg Carga total do portão VDS=20V, VGS=10V, IDS=7A - 20 28
    Qgth Taxa de porta limite - 2 -
    Perguntas frequentes Carga Gate-Fonte - 3.9 -
    Qgd Carga de drenagem de portão - 3 -

    Nota c:
    Teste de pulso; largura de pulso £ 300 ms, ciclo de trabalho £ 2%.


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