WSP4016 Canal N 40V 15,5A SOP-8 WINSOK MOSFET

breve descrição:

Número do modelo:WSP4016

BVDSS:40V

RDSON:11,5mΩ

EU IA:15,5A

Canal:Canal N

Pacote:POP-8

Produto verão:A tensão do MOSFET WSP4016 é 40V, a corrente é 15,5A, a resistência é 11,5mΩ, o canal é canal N e o pacote é SOP-8.

Aplicações:Eletrônica automotiva, luzes LED, áudio, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo, placas de proteção, etc.

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Detalhes do produto

Aplicativo

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Descrição Geral

O WSP4016 é o MOSFET N-ch de trincheira de mais alto desempenho com densidade de células extremamente alta, que fornece excelentes RDSON e cargas de porta para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono. O WSP4016 atende aos requisitos RoHS e Produto Verde, 100% EAS garantido com confiabilidade de função total aprovada.

Características

Tecnologia avançada de trincheira de alta densidade celular, carga de portão super baixa, excelente declínio do efeito CdV/dt, 100% EAS garantido, dispositivo verde disponível.

Aplicativos

Conversores boost de LED branco, sistemas automotivos, circuitos de conversão DC / DC industriais, eletrônicos automotivos, luzes LED, áudio, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo, placas de proteção, etc.

número do material correspondente

AO AOSP66406, EM FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.

Parâmetros importantes

Símbolo	Parâmetro	Avaliação	Unidades
VDS	Tensão de fonte de drenagem	40	V
VGS	Tensão Gate-Fonte	±20	V
ID@TC=25℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1	15,5	A
ID@TC=70℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1	8.4	A
IDM	Corrente de drenagem pulsada2	30	A
PD@TA=25℃	Dissipação Total de Energia TA=25°C	2.08	W
PD@TA=70℃	Dissipação Total de Energia TA=70°C	1.3	W
TSTG	Faixa de temperatura de armazenamento	-55 a 150	℃
TJ	Faixa de temperatura de junção operacional	-55 a 150	℃

Características Elétricas (TJ=25 ℃, salvo indicação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Condições	Min.	Tipo.	Máx.	Unidade
BVDSS	Tensão de ruptura da fonte de drenagem	VGS = 0V, ID = 250ua	40	---	---	V
RDS(LIGADO)	Fonte de drenagem estática sob resistência2	VGS = 10 V, ID = 7A	---	8,5	11,5	mΩ
RDS(LIGADO)	Fonte de drenagem estática sob resistência2	VGS = 4,5 V, ID = 5A	---	11	14,5	mΩ
VGS(º)	Tensão limite do portão	VGS = VDS, ID = 250uA	1,0	1,8	2,5	V
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	25	uA
IGSS	Corrente de fuga porta-fonte	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transcondutância direta	VDS=5V, ID=15A	---	31	---	S
Qg	Carga total do portão (4,5 V)	VDS = 20 V, VGS = 10 V, ID = 7A	---	20	30	nC
Perguntas frequentes	Carga Gate-Fonte		---	3.9	---
Qgd	Carga de drenagem de portão		---	3	---
Td(ligado)	Tempo de atraso de ativação	VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω.	---	12.6	---	ns
Tr	Tempo de subida		---	10	---
Td(desligado)	Tempo de atraso para desligar		---	23,6	---
Tf	Tempo de outono		---	6	---
Ciss	Capacitância de entrada	VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	1125	---	pF
Coss	Capacitância de saída		---	132	---
Crss	Capacitância de transferência reversa		---	70	---