WSM340N10G canal N 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

Pequena descrição:

Número do modelo:WSM340N10G

BVDSS:100V

RDSON:1,6mΩ

EU IA:340A

Canal:Canal N

Pacote:PEDÁGIO-8L

Produto verão:A tensão do MOSFET WSM340N10G é 100V, a corrente é 340A, a resistência é 1,6mΩ, o canal é canal N e o pacote é TOLL-8L.

Formulários:Equipamentos médicos, drones, fontes de alimentação PD, fontes de alimentação LED, equipamentos industriais, etc.

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Detalhes do produto

Aplicativo

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Descrição geral

O WSM340N10G é o MOSFET N-Ch de trincheira de mais alto desempenho com densidade de células extremamente alta, que fornece excelente RDSON e carga de porta para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono.O WSM340N10G atende aos requisitos RoHS e Produto Verde, 100% EAS garantido com confiabilidade de função total aprovada.

Características

Tecnologia avançada de trincheira de alta densidade celular, carga de portão super baixa, excelente declínio do efeito CdV/dt, 100% EAS garantido, dispositivo verde disponível.

Formulários

Retificação síncrona, conversor DC/DC, chave de carga, equipamentos médicos, drones, fontes de alimentação PD, fontes de alimentação LED, equipamentos industriais, etc.

Parâmetros importantes

Avaliações Máximas Absolutas

Símbolo	Parâmetro	Avaliação	Unidades
VDS	Tensão de fonte de drenagem	100	V
VGS	Tensão Gate-Fonte	±20	V
ID@TC=25℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V	230	A
IDM	Corrente de drenagem pulsada..TC=25°C	1150	A
EAS	Energia de avalanche, pulso único, L=0,5mH	1800	mJ
IAS	Corrente de avalanche, pulso único, L=0,5mH	120	A
PD@TC=25℃	Dissipação total de energia	375	W
PD@TC=100℃	Dissipação total de energia	187	W
TSTG	Amplitude Térmica de armazenamento	-55 a 175	℃
TJ	Faixa de temperatura de junção operacional	175	℃

Características Elétricas (TJ=25℃, salvo indicação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Condições	Min.	Tipo.	Máx.	Unidade
BVDSS	Tensão de ruptura da fonte de drenagem	VGS = 0V, ID = 250ua	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referência a 25°C, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(LIGADO)	Resistência estática da fonte de drenagem	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(º)	Tensão limite do portão	VGS = VDS, ID = 250uA	2,0	3,0	4,0	V
△VGS(th)	Coeficiente de temperatura VGS(th)	VGS = VDS, ID = 250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS = 85 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Corrente de fuga porta-fonte	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Resistência do portão	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1,0	---	Ω
Qg	Carga total do portão (10V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Perguntas frequentes	Carga Gate-Fonte		---	80	---
Qgd	Carga de drenagem de portão		---	60	---
Td(ligado)	Tempo de atraso de ativação	VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Tempo de subida		---	50	---
Td(desligado)	Tempo de atraso para desligar		---	228	---
Tf	Tempo de outono		---	322	---
Ciss	Capacitância de entrada	VDS = 40 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	13900	---	pF
Coss	Capacitância de saída		---	6160	---
Crss	Capacitância de transferência reversa		---	220	---