WSM320N04G Canal N 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Descrição geral
O WSM320N04G é um MOSFET de alto desempenho que usa um design de trincheira e possui uma densidade de células muito alta.Possui excelente carga de porta e RDSON e é adequado para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono.O WSM320N04G atende aos requisitos RoHS e de produtos verdes e tem garantia de 100% EAS e confiabilidade total de função.
Características
Tecnologia Trench avançada de alta densidade celular, ao mesmo tempo que apresenta uma carga de porta baixa para desempenho ideal.Além disso, possui um excelente declínio do efeito CdV/dt, uma garantia EAS de 100% e uma opção ecológica.
Formulários
Conversor Buck síncrono de ponto de carga de alta frequência, sistema de energia DC-DC de rede, aplicação de ferramentas elétricas, cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, drones, médicos, carregamento de carros, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos e eletrônicos de consumo.
Parâmetros importantes
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades | |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 40 | V | |
| VGS | Tensão Gate-Fonte | ±20 | V | |
| ID@TC=25℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1,7 | 320 | A | |
| ID@TC=100℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1,7 | 192 | A | |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada2 | 900 | A | |
| EAS | Energia de avalanche de pulso único3 | 980 | mJ | |
| IAS | Corrente de Avalanche | 70 | A | |
| PD@TC=25℃ | Dissipação Total de Energia4 | 250 | W | |
| TSTG | Amplitude Térmica de armazenamento | -55 a 175 | ℃ | |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 175 | ℃ |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS = 0V, ID = 250ua | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referência a 25°C, ID=1mA | --- | 0,050 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO) | Fonte de drenagem estática sob resistência2 | VGS = 10 V, ID = 25A | --- | 1.2 | 1,5 | mΩ |
| RDS(LIGADO) | Fonte de drenagem estática sob resistência2 | VGS = 4,5 V, ID = 20A | --- | 1.7 | 2,5 | mΩ |
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS = VDS, ID = 250uA | 1.2 | 1.7 | 2.6 | V |
| △VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th) | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutância direta | VDS=5V, ID=50A | --- | 160 | --- | S |
| Rg | Resistência do portão | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qg | Carga total do portão (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=25A | --- | 130 | --- | nC |
| Perguntas frequentes | Carga Gate-Fonte | --- | 43 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 83 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A. | --- | 30 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 115 | --- | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 80 | --- | ||
| Ciss | Capacitância de entrada | VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 8100 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 1200 | --- | ||
| Crss | Capacitância de transferência reversa | --- | 800 | --- |
