WSF70P02 Canal P -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET
Descrição geral
O MOSFET WSF70P02 é o dispositivo de vala de canal P de alto desempenho com alta densidade celular.Ele oferece excelente RDSON e carga de porta para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono.O dispositivo atende aos requisitos RoHS e de Produto Verde, é 100% garantido por EAS e foi aprovado para confiabilidade funcional total.
Características
Tecnologia Trench Avançada com alta densidade celular, carga de gate super baixa, excelente redução no efeito CdV/dt, garantia 100% EAS e opções para dispositivos ecológicos.
Formulários
Ponto de carga síncrono de alta frequência, conversor Buck para MB/NB/UMPC/VGA, sistema de energia DC-DC de rede, interruptor de carga, cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, fontes de alimentação de emergência, drones, cuidados médicos, carregadores de carro , controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo.
número do material correspondente
AOS
Parâmetros importantes
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades | |
| 10s | Curso estável | |||
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | -20 | V | |
| VGS | Tensão Gate-Fonte | ±12 | V | |
| ID@TC=25℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @ -10V1 | -70 | A | |
| ID@TC=100℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @ -10V1 | -36 | A | |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada2 | -200 | A | |
| EAS | Energia de avalanche de pulso único3 | 360 | mJ | |
| IAS | Corrente de Avalanche | -55,4 | A | |
| PD@TC=25℃ | Dissipação Total de Energia4 | 80 | W | |
| TSTG | Amplitude Térmica de armazenamento | -55 a 150 | ℃ | |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | ℃ | |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS=0V,ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referência a 25℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO) | Fonte de drenagem estática sob resistência2 | VGS=-4,5V, ID=-15A | --- | 6.8 | 9,0 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-10A | --- | 8.2 | 11 | |||
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS = VDS, ID = -250uA | -0,4 | -0,6 | -1,2 | V |
| △VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th) | --- | 2,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutância direta | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 45 | --- | S |
| Qg | Carga total do portão (-4,5V) | VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-10A | --- | 63 | --- | nC |
| Perguntas frequentes | Carga Gate-Fonte | --- | 9.1 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 13 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=-10V, VGS=-4,5V, RG=3,3Ω, ID=-10A | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 77 | --- | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 195 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 186 | --- | ||
| Ciss | Capacitância de entrada | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 5783 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 520 | --- | ||
| Crss | Capacitância de transferência reversa | --- | 445 | --- |
