WSF6012 Canal N&P 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Descrição geral
O MOSFET WSF6012 é um dispositivo de alto desempenho com design de alta densidade de células.Ele fornece excelente RDSON e carga de porta adequada para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono.Além disso, ele atende aos requisitos RoHS e de produtos verdes e vem com garantia 100% EAS para total funcionalidade e confiabilidade.
Características
Tecnologia avançada de trincheira com alta densidade celular, carga de porta super baixa, excelente declínio do efeito CdV/dt, garantia 100% EAS e opções de dispositivos ecologicamente corretos.
Formulários
Conversor Buck síncrono de ponto de carga de alta frequência, sistema de energia DC-DC de rede, interruptor de carga, cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, fontes de alimentação de emergência, drones, cuidados de saúde, carregadores de carro, controladores, dispositivos digitais, pequenos eletrodomésticos, e eletrônicos de consumo.
número do material correspondente
AOS AOD603A,
Parâmetros importantes
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades | |
| Canal N | Canal P | |||
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 60 | -60 | V |
| VGS | Tensão Gate-Fonte | ±20 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1 | 20 | -15 | A |
| ID@TC=70℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1 | 15 | -10 | A |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada2 | 46 | -36 | A |
| EAS | Energia de avalanche de pulso único3 | 200 | 180 | mJ |
| IAS | Corrente de Avalanche | 59 | -50 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipação Total de Energia4 | 34,7 | 34,7 | W |
| TSTG | Amplitude Térmica de armazenamento | -55 a 150 | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS = 0V, ID = 250ua | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referência a 25℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO) | Fonte de drenagem estática sob resistência2 | VGS = 10 V, ID = 8A | --- | 28 | 37 | mΩ |
| VGS = 4,5 V, ID = 5A | --- | 37 | 45 | |||
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS = VDS, ID = 250uA | 1 | --- | 2,5 | V |
| △VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th) | --- | -5,24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutância direta | VDS=5V, ID=8A | --- | 21 | --- | S |
| Rg | Resistência do portão | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3,0 | 4,5 | Ω |
| Qg | Carga total do portão (4,5V) | VDS = 48 V, VGS = 4,5 V, ID = 8A | --- | 12.6 | 20 | nC |
| Perguntas frequentes | Carga Gate-Fonte | --- | 3.5 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 6.3 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=30V, VGS=4,5V, RG = 3,3Ω, ID = 1A | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 14.2 | --- | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 24,6 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 4.6 | --- | ||
| Ciss | Capacitância de entrada | VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 670 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 70 | --- | ||
| Crss | Capacitância de transferência reversa | --- | 35 | --- |
