WSF4022 Canal N duplo 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET

Pequena descrição:

Número do modelo:WSF4022

BVDSS:40V

RDSON:21mΩ

EU IA:20A

Canal:Canal N duplo

Pacote:TO-252-4L

Produto verão:A tensão do MOSFET WSF30150 é 40V, a corrente é 20A, a resistência é 21mΩ, o canal é Dual N-Channel e o pacote é TO-252-4L.

Formulários:Cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, fontes de alimentação de emergência, drones, assistência médica, carregadores de carro, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo.

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Detalhes do produto

Aplicativo

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Descrição geral

O WSF4022 é o MOSFET Dual N-Ch de trincheira de mais alto desempenho com densidade de célula extremamente alta, que fornece excelente RDSON e carga de portão para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono. O WSF4022 atende aos requisitos de RoHS e produto verde 100% EAS garantido com função completa confiabilidade aprovada.

Características

Para pré-motorista de ventilador H-Bridge, controle de motor, retificação síncrona, cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, fontes de alimentação de emergência, drones, cuidados médicos, carregadores de carro, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo.

Formulários

número do material correspondente

AOS

Parâmetros importantes

Símbolo	Parâmetro		Avaliação	Unidades
VDS	Tensão de fonte de drenagem		40	V
VGS	Tensão Gate-Fonte		±20	V
ID	Corrente de drenagem (contínua) *AC	TC=25°C	20*	A
ID	Corrente de drenagem (contínua) *AC	TC=100°C	20*	A
ID	Corrente de drenagem (contínua) *AC	TA=25°C	12.2	A
ID	Corrente de drenagem (contínua) *AC	AT=70°C	10.2	A
IDMa	Corrente de drenagem pulsada	TC=25°C	80*	A
EASb	Energia de avalanche de pulso único	L=0,5mH	25	mJ
IASb	Corrente de Avalanche	L=0,5mH	17,8	A
PD	Dissipação Máxima de Potência	TC=25°C	39,4	W
PD	Dissipação Máxima de Potência	TC=100°C	19,7	W
PD	Dissipação de energia	TA=25°C	6.4	W
PD	Dissipação de energia	AT=70°C	4.2	W
TJ	Faixa de temperatura de junção operacional		175	℃
TSTG	Temperatura operacional/temperatura de armazenamento		-55~175	℃
RθJA b	Junção de Resistência Térmica-Ambiente	Estado estacionário c	60	℃/W
RθJC	Junção de resistência térmica ao gabinete		3.8	℃/W

Símbolo	Parâmetro	Condições	Min.	Tipo.	Máx.	Unidade
Estático
V(BR)DSS	Tensão de ruptura da fonte de drenagem	VGS = 0V, ID = 250μA	40			V
IDSS	Corrente de drenagem de tensão de porta zero	VDS = 32V, VGS = 0V			1	μA
IDSS	Corrente de drenagem de tensão de porta zero	VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C			30	μA
IGSS	Corrente de fuga do portão	VGS = ±20V, VDS = 0V			±100	nA
VGS(º)	Tensão limite do portão	VGS = VDS, IDS = 250µA	1.1	1.6	2,5	V
RDS(ligado)d	Resistência no estado da fonte de drenagem	VGS = 10V, ID = 10A		16	21	mΩ
RDS(ligado)d	Resistência no estado da fonte de drenagem	VGS = 4,5 V, ID = 5A		18	25	mΩ
Responsável pelo Portão
Qg	Carga total do portão	VDS = 20 V, VGS = 4,5 V, ID = 10A		7,5		nC
Perguntas frequentes	Carga Gate-Fonte			3.24		nC
Qgd	Carga de drenagem de portão			2,75		nC
Dinâmica
Ciss	Capacitância de entrada	VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz		815		pF
Coss	Capacitância de saída			95		pF
Crss	Capacitância de transferência reversa			60		pF
td (ligado)	Tempo de atraso de ativação	VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω.		7,8		ns
tr	Tempo de subida de ativação			6,9		ns
td(desligado)	Tempo de atraso para desligar			22.4		ns
tf	Desligue o tempo de queda			4.8		ns
Diodo
VSDd	Tensão direta do diodo	ISD=1A, VGS=0V		0,75	1.1	V
trr	Capacitância de entrada	IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs		13		ns
QR	Capacitância de saída	IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs		8.7		nC