WSF4022 Canal N duplo 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Descrição Geral
O WSF4022 é o MOSFET Dual N-Ch de trincheira de mais alto desempenho com densidade celular extremamente alta, que fornece excelente RDSON e carga de portão para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono. O WSF4022 atende aos requisitos de RoHS e produto verde 100% EAS garantido com função completa confiabilidade aprovada.
Características
Para pré-motorista de ventilador H-Bridge, controle de motor, retificação síncrona, cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, fontes de alimentação de emergência, drones, cuidados médicos, carregadores de carro, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo.
Aplicativos
Para pré-motorista de ventilador H-Bridge, controle de motor, retificação síncrona, cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, fontes de alimentação de emergência, drones, cuidados médicos, carregadores de carro, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo.
número do material correspondente
AOS
Parâmetros importantes
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades | |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 40 | V | |
| VGS | Tensão Gate-Fonte | ±20 | V | |
| ID | Corrente de drenagem (contínua) *AC | TC=25°C | 20* | A |
| ID | Corrente de drenagem (contínua) *AC | TC=100°C | 20* | A |
| ID | Corrente de drenagem (contínua) *AC | TA=25°C | 12.2 | A |
| ID | Corrente de drenagem (contínua) *AC | AT=70°C | 10.2 | A |
| IDMa | Corrente de drenagem pulsada | TC=25°C | 80* | A |
| EASb | Energia de avalanche de pulso único | L=0,5mH | 25 | mJ |
| IASb | Corrente de Avalanche | L=0,5mH | 17,8 | A |
| PD | Dissipação Máxima de Potência | TC=25°C | 39,4 | W |
| PD | Dissipação Máxima de Potência | TC=100°C | 19,7 | W |
| PD | Dissipação de energia | TA=25°C | 6.4 | W |
| PD | Dissipação de energia | AT=70°C | 4.2 | W |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | 175 | ℃ | |
| TSTG | Temperatura operacional/temperatura de armazenamento | -55~175 | ℃ | |
| RθJA b | Junção de Resistência Térmica-Ambiente | Estado estacionário c | 60 | ℃/W |
| RθJC | Junção de resistência térmica ao gabinete | 3.8 | ℃/W |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| Estático | ||||||
| V(BR)DSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS = 0V, ID = 250μA | 40 | V | ||
| IDSS | Corrente de drenagem de tensão de porta zero | VDS = 32V, VGS = 0V | 1 | μA | ||
| IDSS | Corrente de drenagem de tensão de porta zero | VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C | 30 | μA | ||
| IGSS | Corrente de fuga do portão | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | ||
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.1 | 1.6 | 2,5 | V |
| RDS(ligado)d | Resistência no estado da fonte de drenagem | VGS = 10V, ID = 10A | 16 | 21 | mΩ | |
| VGS = 4,5 V, ID = 5A | 18 | 25 | mΩ | |||
| Responsável pelo Portão | ||||||
| Qg | Carga total do portão | VDS = 20 V, VGS = 4,5 V, ID = 10A | 7,5 | nC | ||
| Perguntas frequentes | Carga Gate-Fonte | 3.24 | nC | |||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | 2,75 | nC | |||
| Dinâmica | ||||||
| Ciss | Capacitância de entrada | VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz | 815 | pF | ||
| Coss | Capacitância de saída | 95 | pF | |||
| Crss | Capacitância de transferência reversa | 60 | pF | |||
| td (ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω. | 7,8 | ns | ||
| tr | Tempo de subida de ativação | 6,9 | ns | |||
| td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | 22.4 | ns | |||
| tf | Desligue o tempo de queda | 4.8 | ns | |||
| Diodo | ||||||
| VSDd | Tensão direta do diodo | ISD=1A, VGS=0V | 0,75 | 1.1 | V | |
| trr | Capacitância de entrada | IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs | 13 | ns | ||
| QR | Capacitância de saída | 8.7 | nC | |||
