WSD80130DN56 canal N 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produtos

WSD80130DN56 canal N 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Pequena descrição:

Número da peça:WSD80130DN56

BVDSS:80V

EU IA:130A

RDSON:2,7mΩ

Canal:Canal N

Pacote:DFN5X6-8


Detalhes do produto

Aplicativo

Etiquetas de produto

Visão geral do produto WINSOK MOSFET

A tensão do MOSFET WSD80130DN56 é 80V, a corrente é 130A, a resistência é 2,7mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.

Áreas de aplicação WINSOK MOSFET

Drones MOSFET, motores MOSFET, MOSFET médico, ferramentas elétricas MOSFET, ESCs MOSFET.

WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroeletrônica MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.

Parâmetros MOSFET

Símbolo

Parâmetro

Avaliação

Unidades

VDS

Tensão de fonte de drenagem

80

V

VGS

Portão-Sourtensão

±20

V

TJ

Temperatura máxima de junção

150

°C

ID

Amplitude Térmica de armazenamento

-55 a 150

°C

ID

Corrente de drenagem contínua, VGS=10V,TC=25ºC

130

A

Corrente de drenagem contínua, VGS=10V,TC=70°C

89

A

IDM

Corrente de drenagem pulsada, TC=25ºC

400

A

PD

Dissipação Máxima de Potência,TC=25ºC

200

W

RqJC

Junção de Resistência Térmica ao Caso

1,25

°C

       

 

Símbolo

Parâmetro

Condições

Min.

Tipo.

Máx.

Unidade

BVDSS

Tensão de ruptura da fonte de drenagem VGS=0V, euD=250ua

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSCoeficiente de temperatura Referência a 25, EUD=1mA

---

0,043

---

V/

RDS(LIGADO)

Resistência estática da fonte de drenagem2 VGS = 10 V, euD=40A

---

2.7

3.6

mΩ

VGS(º)

Tensão limite do portão VGS=VDS, EUD=250ua

2,0

3,0

4,0

V

VGS(º)

VGS(º)Coeficiente de temperatura

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Corrente de fuga da fonte de drenagem VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Corrente de fuga porta-fonte VGS=±20 V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg

Carga total do portão (10V) VDS=30 V, VGS=10V, euD=30A

---

48,6

---

nC

Qgs

Carga Gate-Fonte

---

17,5

---

Qgd

Carga de drenagem de portão

---

10.4

---

Td(ligado)

Tempo de atraso de ativação VDD=30 V, VGS=10V,

RG=2,5Ω, EUD=2A,RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Tempo de subida

---

10

---

Td(desligado)

Tempo de atraso para desligar

---

35

---

Tf

Tempo de outono

---

12

---

Cisso

Capacitância de entrada VDS=25 V, VGS=0V, f=1MHz

---

4150

---

pF

Coss

Capacitância de saída

---

471

---

Crsrs

Capacitância de transferência reversa

---

20

---


  • Anterior:
  • Próximo:

  • Escreva aqui sua mensagem e envie para nós