WSD80120DN56 canal N 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD80120DN56 é 85V, a corrente é 120A, a resistência é 3,7mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
MOSFET de tensão médica, MOSFET de equipamento fotográfico, MOSFET de drones, MOSFET de controle industrial, MOSFET 5G, MOSFET de eletrônica automotiva.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroeletrônica MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
Parâmetros MOSFET
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 85 | V |
| VGS | Portão-Sourtensão | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS@10V | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS@10V | 96 | A |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada..TC=25ºC | 384 | A |
| EAS | Energia de avalanche, pulso único, L=0,5mH | 320 | mJ |
| IAS | Corrente de avalanche, pulso único, L=0,5mH | 180 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipação Total de Energia | 104 | W |
| PD@TC=100℃ | Dissipação Total de Energia | 53 | W |
| TSTG | Faixa de temperatura de armazenamento | -55 a 175 | ℃ |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | 175 | ℃ |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS=0V, euD=250ua | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referência a 25℃, EUD=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO) | Resistência estática da fonte de drenagem | VGS= 10 V, euD=50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS=VDS, EUD=250ua | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| △VGS(º) | VGS(º)Coeficiente de temperatura | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=85 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±25 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Resistência do portão | VDS=0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Carga total do portão (10V) | VDS=50 V, VGS=10V, euD=10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | Carga Gate-Fonte | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 11 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=50 V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 18 | --- | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 36 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 10 | --- | ||
| Cisso | Capacitância de entrada | VDS=40 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 395 | --- | ||
| Crsrs | Capacitância de transferência reversa | --- | 180 | --- |
