WSD80100DN56 canal N 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

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WSD80100DN56 canal N 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Pequena descrição:

Número da peça:WSD80100DN56

BVDSS:80V

EU IA:100A

RDSON:6,1mΩ

Canal:Canal N

Pacote:DFN5X6-8


Detalhes do produto

Aplicativo

Etiquetas de produto

Visão geral do produto WINSOK MOSFET

A tensão do MOSFET WSD80100DN56 é 80V, a corrente é 100A, a resistência é 6,1mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.

Áreas de aplicação WINSOK MOSFET

Drones MOSFET, motores MOSFET, eletrônica automotiva MOSFET, principais aparelhos MOSFET.

WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroeletrônica MOSFET STL1N8F7.POTENS Semicondutor MOSFET PDC7966X.

Parâmetros MOSFET

Símbolo

Parâmetro

Avaliação

Unidades

VDS

Tensão de fonte de drenagem

80

V

VGS

Portão-Sourtensão

±20

V

TJ

Temperatura máxima de junção

150

°C

ID

Amplitude Térmica de armazenamento

-55 a 150

°C

ID

Corrente de drenagem contínua, VGS=10V,TC=25ºC

100

A

Corrente de drenagem contínua, VGS=10V,TC=100°C

80

A

IDM

Corrente de drenagem pulsada, TC=25ºC

380

A

PD

Dissipação Máxima de Potência,TC=25ºC

200

W

RqJC

Junção de Resistência Térmica ao Caso

0,8

°C

EAS

Energia de avalanche, pulso único, L=0,5mH

800

mJ

 

Símbolo

Parâmetro

Condições

Min.

Tipo.

Máx.

Unidade

BVDSS

Tensão de ruptura da fonte de drenagem VGS=0V, euD=250ua

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSCoeficiente de temperatura Referência a 25, EUD=1mA

---

0,043

---

V/

RDS(LIGADO)

Resistência estática da fonte de drenagem2 VGS = 10 V, euD=40A

---

6.1

8,5

mΩ

VGS(º)

Tensão limite do portão VGS=VDS, EUD=250ua

2,0

3,0

4,0

V

VGS(º)

VGS(º)Coeficiente de temperatura

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Corrente de fuga da fonte de drenagem VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Corrente de fuga porta-fonte VGS=±20 V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transcondutância direta VDS=5V, euD=20A

80

---

---

S

Qg

Carga total do portão (10V) VDS=30 V, VGS=10V, euD=30A

---

125

---

nC

Qgs

Carga Gate-Fonte

---

24

---

Qgd

Carga de drenagem de portão

---

30

---

Td(ligado)

Tempo de atraso de ativação VDD=30 V, VGS=10V,

RG=2,5Ω, EUD=2A,RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Tempo de subida

---

19

---

Td(desligado)

Tempo de atraso para desligar

---

70

---

Tf

Tempo de outono

---

30

---

Cisso

Capacitância de entrada VDS=25 V, VGS=0V, f=1MHz

---

4900

---

pF

Coss

Capacitância de saída

---

410

---

Crsrs

Capacitância de transferência reversa

---

315

---


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