WSD75N12GDN56 canal N 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD75N12GDN56 é 120V, a corrente é 75A, a resistência é 6mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
Equipamentos médicos MOSFET, drones MOSFET, fontes de alimentação PD MOSFET, fontes de alimentação LED MOSFET, equipamentos industriais MOSFET.
Campos de aplicação MOSFETWINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
Parâmetros MOSFET
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDSS | Tensão dreno-fonte | 120 | V |
| VGS | Tensão porta-fonte | ±20 | V |
| ID | 1 Corrente de drenagem contínua (Tc = 25 ℃) | 75 | A |
| ID | 1 Corrente de drenagem contínua (Tc = 70 ℃) | 70 | A |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada | 320 | A |
| IAR | Corrente de avalanche de pulso único | 40 | A |
| EASa | Energia de avalanche de pulso único | 240 | mJ |
| PD | Dissipação de energia | 125 | W |
| TJ, Tstg | Junção operacional e faixa de temperatura de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TL | Temperatura Máxima para Soldagem | 260 | ℃ |
| RθJC | Resistência Térmica, Junção-Caixa | 1,0 | ℃/W |
| RθJA | Resistência Térmica, Junção-Ambiente | 50 | ℃/W |
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Min. | Tipo. | Máx. | Unidades |
| VDSS | Dreno para tensão de ruptura da fonte | VGS=0V, ID=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Drenar para a corrente de fuga da fonte | VDS = 120 V, VGS = 0 V | -- | -- | 1 | μA |
| IGSS(F) | Vazamento direto do portão para a fonte | VGS=+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Vazamento reverso do portão para a fonte | VGS=-20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Tensão limite do portão | VDS = VGS, ID = 250 µA | 2,5 | 3,0 | 3.5 | V |
| RDS(LIGADO)1 | Resistência de drenagem para fonte | VGS=10V, ID=20A | -- | 6,0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Transcondutância direta | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Capacitância de entrada | VGS = 0V VDS = 50V f =1,0 MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | -- | 429 | -- | pF | |
| Crss | Capacitância de transferência reversa | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Resistência do portão | -- | 2,5 | -- | Ah | |
| td(ON) | Tempo de atraso de ativação | ID =20A VDS = 50V VGS = 10VRG = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Tempo de subida | -- | 11 | -- | ns | |
| td(DESLIGADO) | Tempo de atraso para desligar | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Tempo de outono | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Carga total do portão | VGS =0~10V VDS = 50VID=20A | -- | 61,4 | -- | nC |
| Perguntas frequentes | Taxa de fonte de portão | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Carga de drenagem do portão | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Corrente direta do diodo | CT=25°C | -- | -- | 100 | A |
| ISM | Corrente de pulso de diodo | -- | -- | 320 | A | |
| DSV | Tensão direta do diodo | É=6,0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Tempo de recuperação reversa | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| QR | Cobrança de recuperação reversa | -- | 250 | -- | nC |
