WSD75100DN56 canal N 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD75100DN56 é 75V, a corrente é 100A, a resistência é 5,3mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
E-cigarros MOSFET, carregamento sem fio MOSFET, drones MOSFET, cuidados médicos MOSFET, carregadores de carro MOSFET, controladores MOSFET, produtos digitais MOSFET, pequenos eletrodomésticos MOSFET, eletrônicos de consumo MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
AOS MOSFET AON6276, AON6278, AON628, AON6282, AON6448.Onsemi, FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON, IR MOSFET BSC42NE7NS3G, BSC36NE7NS3G.POTENS Semicondutor MOSFET PDC7966 X.
Parâmetros MOSFET
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 75 | V |
| VGS | Portão-Sourtensão | ±25 | V |
| TJ | Temperatura máxima de junção | 150 | °C |
| ID | Faixa de temperatura de armazenamento | -55 a 150 | °C |
| IS | Corrente direta contínua do diodo, TC=25ºC | 50 | A |
| ID | Corrente de drenagem contínua, VGS=10V,TC=25ºC | 100 | A |
| Corrente de drenagem contínua, VGS=10V,TC=100ºC | 73 | A | |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada, TC=25ºC | 400 | A |
| PD | Dissipação Máxima de Potência,TC=25ºC | 155 | W |
| Dissipação Máxima de Potência,TC=100ºC | 62 | W | |
| RθJA | Resistência Térmica - Junção ao Ambiente, t = 10s ̀ | 20 | °C |
| Junção de resistência térmica ao ambiente, estado estacionário | 60 | °C | |
| RqJC | Junção de Resistência Térmica ao Caso | 0,8 | °C |
| IAS | Corrente de avalanche, pulso único, L=0,5mH | 30 | A |
| EAS | Energia de avalanche, pulso único, L=0,5mH | 225 | mJ |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS=0V, euD=250ua | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referência a 25℃, EUD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO) | Resistência estática da fonte de drenagem2 | VGS = 10 V, euD=25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS=VDS, EUD=250ua | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| △VGS(º) | VGS(º)Coeficiente de temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutância direta | VDS=5V, euD=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Resistência do portão | VDS=0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,0 | 2 | Ω |
| Qg | Carga total do portão (10V) | VDS=20 V, VGS=10V, euD=40A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Carga Gate-Fonte | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 17 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=30 V, VGER=10V,RG=1Ω, EUD=1A,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 14 | 26 | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 37 | 67 | ||
| Cisso | Capacitância de entrada | VDS=20 V, VGS=0V, f=1MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Coss | Capacitância de saída | 245 | 395 | 652 | ||
| Crsrs | Capacitância de transferência reversa | 100 | 195 | 250 |
