WSD60N12GDN56 canal N 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD60N12GDN56 é 120V, a corrente é 70A, a resistência é 10mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
Equipamentos médicos MOSFET, drones MOSFET, fontes de alimentação PD MOSFET, fontes de alimentação LED MOSFET, equipamentos industriais MOSFET.
Campos de aplicação MOSFETWINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Semicondutor MOSFET PDC974X.
Parâmetros MOSFET
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 120 | V |
| VGS | Tensão Gate-Fonte | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente de drenagem contínua | 70 | A |
| Deslocados internos | Corrente de drenagem pulsada | 150 | A |
| EAS | Energia Avalanche, pulso único | 53,8 | mJ |
| PD@TC=25℃ | Dissipação Total de Energia | 140 | C |
| TSTG | Faixa de temperatura de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS=0V, euD=250ua | 120 | --- | --- | V |
| Resistência estática da fonte de drenagem | VGS=10V,ID=10A. | --- | 10 | 15 | mΩ | |
| RDS(LIGADO) | VGS = 4,5 V, ID = 10A. | --- | 18 | 25 | mΩ | |
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS=VDS, EUD=250ua | 1.2 | --- | 2,5 | V |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=80 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Carga total do portão (10V) | VDS=50 V, VGS=10V, euD=25A | --- | 33 | --- | nC |
| Qgs | Carga Gate-Fonte | --- | 5.6 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 7.2 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=50 V, VGS=10V, RG=2Ω, euD=25A | --- | 22 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 10 | --- | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 85 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 112 | --- | ||
| Cisso | Capacitância de entrada | VDS=50 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2640 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 330 | --- | ||
| Crsrs | Capacitância de transferência reversa | --- | 11 | --- | ||
| IS | Corrente de fonte contínua | VG=VD=0V, corrente de força | --- | --- | 50 | A |
| ISP | Corrente de fonte pulsada | --- | --- | 150 | A | |
| DSV | Tensão direta do diodo | VGS=0V, euS=12A,TJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Tempo de recuperação reversa | SE=25A,dI/dt=100A/µs,TJ=25℃ | --- | 62 | --- | nS |
| Qrr | Cobrança de recuperação reversa | --- | 135 | --- | nC |
