WSD60N12GDN56 canal N 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

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WSD60N12GDN56 canal N 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Pequena descrição:

Número da peça:WSD60N12GDN56

BVDSS:120V

EU IA:70A

RDSON:10mΩ

Canal:Canal N

Pacote:DFN5X6-8


Detalhes do produto

Aplicativo

Etiquetas de produto

Visão geral do produto WINSOK MOSFET

A tensão do MOSFET WSD60N12GDN56 é 120V, a corrente é 70A, a resistência é 10mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.

Áreas de aplicação WINSOK MOSFET

Equipamentos médicos MOSFET, drones MOSFET, fontes de alimentação PD MOSFET, fontes de alimentação LED MOSFET, equipamentos industriais MOSFET.

Campos de aplicação MOSFETWINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Semicondutor MOSFET PDC974X.

Parâmetros MOSFET

Símbolo

Parâmetro

Avaliação

Unidades

VDS

Tensão de fonte de drenagem

120

V

VGS

Tensão Gate-Fonte

±20

V

ID@TC=25℃

Corrente de drenagem contínua

70

A

Deslocados internos

Corrente de drenagem pulsada

150

A

EAS

Energia Avalanche, pulso único

53,8

mJ

PD@TC=25℃

Dissipação total de energia

140

C

TSTG

Amplitude Térmica de armazenamento

-55 a 150

TJ 

Faixa de temperatura de junção operacional

-55 a 150

 

Símbolo

Parâmetro

Condições

Min.

Tipo.

Máx.

Unidade

BVDSS 

Tensão de ruptura da fonte de drenagem VGS=0V, euD=250ua

120

---

---

V

  Resistência estática da fonte de drenagem VGS=10V,ID=10A.

---

10

15

RDS(LIGADO)

VGS = 4,5 V, ID = 10A.

---

18

25

VGS(º)

Tensão limite do portão VGS=VDS, EUD=250ua

1.2

---

2,5

V

IDSS

Corrente de fuga da fonte de drenagem VDS=80 V, VGS=0 V, TJ=25℃

---

---

1

uA

IGSS

Corrente de fuga porta-fonte VGS=±20 V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

Carga total do portão (10V) VDS=50 V, VGS=10V, euD=25A

---

33

---

nC

Qgs 

Carga Gate-Fonte

---

5.6

---

Qgd 

Carga de drenagem de portão

---

7.2

---

Td(ligado)

Tempo de atraso de ativação VDD=50 V, VGS=10V,

RG=2Ω, euD=25A

---

22

---

ns

Tr 

Tempo de subida

---

10

---

Td(desligado)

Tempo de atraso para desligar

---

85

---

Tf 

Tempo de outono

---

112

---

Cisso 

Capacitância de entrada VDS=50 V, VGS=0V, f=1MHz

---

2640

---

pF

Coss

Capacitância de saída

---

330

---

Crsrs 

Capacitância de transferência reversa

---

11

---

IS 

Corrente de fonte contínua VG=VD=0V, corrente de força

---

---

50

A

ISP

Corrente de fonte pulsada

---

---

150

A

DSV

Tensão direta do diodo VGS=0V, euS=12A,TJ=25℃

---

---

1.3

V

trr 

Tempo de recuperação reversa SE=25A,dI/dt=100A/µs,TJ=25℃

---

62

---

nS

Qrr 

Cobrança de recuperação reversa

---

135

---

nC

 


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