WSD60N10GDN56 canal N 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD60N10GDN56 é 100V, a corrente é 60A, a resistência é 8,5mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
E-cigarros MOSFET, carregamento sem fio MOSFET, motores MOSFET, drones MOSFET, cuidados médicos MOSFET, carregadores de carro MOSFET, controladores MOSFET, produtos digitais MOSFET, pequenos eletrodomésticos MOSFET, eletrônicos de consumo MOSFET.
Campos de aplicação MOSFETWINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87ADP.INFINEON,IR MOSFET BSC19N1NS3G.TOSHIBA MOSFET TPH6R3ANL,TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Semicondutor MOSFET PDC92X.
Parâmetros MOSFET
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 100 | V |
| VGS | Tensão Gate-Fonte | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente de drenagem contínua | 60 | A |
| Deslocados internos | Corrente de drenagem pulsada | 210 | A |
| EAS | Energia Avalanche, pulso único | 100 | mJ |
| PD@TC=25℃ | Dissipação Total de Energia | 125 | C |
| TSTG | Faixa de temperatura de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS=0V, euD=250ua | 100 | --- | --- | V |
| Resistência estática da fonte de drenagem | VGS=10V,ID=10A. | --- | 8,5 | 10.0 | mΩ | |
| RDS(LIGADO) | VGS = 4,5 V, ID = 10A. | --- | 9,5 | 12.0 | mΩ | |
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS=VDS, EUD=250ua | 1,0 | --- | 2,5 | V |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=80 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Carga total do portão (10V) | VDS=50 V, VGS=10V, euD=25A | --- | 49,9 | --- | nC |
| Qgs | Carga Gate-Fonte | --- | 6,5 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 12.4 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=50 V, VGS=10V,RG=2,2Ω, euD=25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 5 | --- | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 51,8 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 9 | --- | ||
| Cisso | Capacitância de entrada | VDS=50 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de Saída | --- | 362 | --- | ||
| Crsrs | Capacitância de transferência reversa | --- | 6,5 | --- | ||
| IS | Corrente de fonte contínua | VG=VD=0V, corrente de força | --- | --- | 60 | A |
| ISP | Corrente de fonte pulsada | --- | --- | 210 | A | |
| DSV | Tensão direta do diodo | VGS=0V, euS=12A,TJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Tempo de recuperação reversa | SE=12A,dI/dt=100A/µs,TJ=25℃ | --- | 60,4 | --- | nS |
| Qrr | Cobrança de recuperação reversa | --- | 106,1 | --- | nC |
