WSD6070DN56 canal N 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD6070DN56 é 60V, a corrente é 80A, a resistência é 7,3mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
E-cigarros MOSFET, carregamento sem fio MOSFET, motores MOSFET, drones MOSFET, cuidados médicos MOSFET, carregadores de carro MOSFET, controladores MOSFET, produtos digitais MOSFET, pequenos eletrodomésticos MOSFET, eletrônicos de consumo MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
POTENS Semicondutor MOSFET PDC696X.
Parâmetros MOSFET
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 60 | V |
| VGS | Portão-Sourtensão | ±20 | V |
| TJ | Temperatura máxima de junção | 150 | °C |
| ID | Amplitude Térmica de armazenamento | -55 a 150 | °C |
| IS | Corrente direta contínua do diodo, TC=25ºC | 80 | A |
| ID | Corrente de drenagem contínua, VGS=10V,TC=25ºC | 80 | A |
| Corrente de drenagem contínua, VGS=10V,TC=100°C | 66 | A | |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada, TC=25ºC | 300 | A |
| PD | Dissipação Máxima de Potência,TC=25ºC | 150 | W |
| Dissipação Máxima de Potência,TC=100°C | 75 | W | |
| RθJA | Resistência Térmica - Junção ao Ambiente, t = 10s ̀ | 50 | °C/W |
| Junção de resistência térmica ao ambiente, estado estacionário | 62,5 | °C/W | |
| RqJC | Junção de Resistência Térmica ao Caso | 1 | °C/W |
| IAS | Corrente de avalanche, pulso único, L=0,5mH | 30 | A |
| EAS | Energia de avalanche, pulso único, L=0,5mH | 225 | mJ |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS=0V, euD=250ua | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referência a 25℃, EUD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO) | Resistência estática da fonte de drenagem2 | VGS = 10 V, euD=40A | --- | 7,0 | 9,0 | mΩ |
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS=VDS, EUD=250ua | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| △VGS(º) | VGS(º)Coeficiente de temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutância direta | VDS=5V, euD=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Resistência do portão | VDS=0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qg | Carga total do portão (10V) | VDS=30 V, VGS=10V, euD=40A | --- | 48 | --- | nC |
| Qgs | Carga Gate-Fonte | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 12 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=30 V, VGER=10V,RG=1Ω, EUD=1A,RL=15Ω. | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 10 | --- | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 40 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 35 | --- | ||
| Cisso | Capacitância de entrada | VDS=30 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2680 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 386 | --- | ||
| Crsrs | Capacitância de transferência reversa | --- | 160 | --- |
