WSD6060DN56 canal N 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Pequena descrição:

Número da peça:WSD6060DN56

BVDSS:60 V

EU IA:65A

RDSON:7,5mΩ

Canal:Canal N

Pacote:DFN5X6-8

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Detalhes do produto

Aplicativo

Etiquetas de produto

Visão geral do produto WINSOK MOSFET

A tensão do MOSFET WSD6060DN56 é 60V, a corrente é 65A, a resistência é 7,5mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.

Áreas de aplicação WINSOK MOSFET

E-cigarros MOSFET, carregamento sem fio MOSFET, motores MOSFET, drones MOSFET, cuidados médicos MOSFET, carregadores de carro MOSFET, controladores MOSFET, produtos digitais MOSFET, pequenos eletrodomésticos MOSFET, eletrônicos de consumo MOSFET.

WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semicondutor MOSFET PDC696X.

Parâmetros MOSFET

Símbolo	Parâmetro		Avaliação	Unidade
Avaliações comuns
VDSS	Tensão de fonte de drenagem		60	V
VGSS	Tensão Gate-Fonte		±20	V
T_J	Temperatura máxima de junção		150	°C
TSTG	Amplitude Térmica de armazenamento		-55 a 150	°C
I_S	Corrente direta contínua de diodo	T_c=25ºC	30	A
ID	Corrente de drenagem contínua	T_c=25ºC	65	A
ID	Corrente de drenagem contínua	T_c=70°C	42	A
Eu DM b	Corrente de drenagem de pulso testada	T_c=25ºC	250	A
P_D	Dissipação Máxima de Potência	T_c=25ºC	62,5	W
P_D	Dissipação Máxima de Potência	T_C=70°C	38	W
R_qJL	Junção de resistência térmica para chumbo	Curso estável	2.1	°C/W
RqJA	Resistência Térmica - Junção ao Ambiente	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Resistência Térmica - Junção ao Ambiente	Curso estável^b	50	°C/W
EU COMO^d	Corrente de avalanche, pulso único	L=0,5mH	18	A
E COMO d	Energia Avalanche, pulso único	L=0,5mH	81	mJ

Símbolo	Parâmetro	Condições de teste		Min.	Tipo.	Máx.	Unidade
Características estáticas
BV_DSS	Tensão de ruptura da fonte de drenagem	V_GS=0V, eu_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	Corrente de drenagem de tensão de porta zero	V_DS=48 V, V_GS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Corrente de drenagem de tensão de porta zero						mA
			T_J=85°C	-	-	30
VGS(º)	Tensão limite do portão	V_DS=V_GS, EU_DS=250mA		1.2	1,5	2,5	V
IGSS	Corrente de fuga do portão	V_GS=±20 V, V_DS=0V		-	-	±100	nA
RDS(LIGADO) 3	Resistência no estado da fonte de drenagem	V_GS=10 V, eu_DS=20A		-	7,5	10	m W
RDS(LIGADO) 3	Resistência no estado da fonte de drenagem	V_GS=4,5 V, eu_DS=15 UM		-	10	15	m W
Características do diodo
VSD	Tensão direta do diodo	I_SD=1A,V_GS=0V		-	0,75	1.2	V
t_rr	Tempo de recuperação reversa	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	Cobrança de recuperação reversa	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
Características Dinâmicas^3,4
R_G	Resistência do portão	V_GS=0V,V_DS=0V,F=1MHz		-	1,5	-	W
C_isso	Capacitância de entrada	V_GS=0 V, V_DS=30V, F = 1,0 MHzΩ		-	1340	-	pF
C_oss	Capacitância de saída			-	270	-
C_rsrs	Capacitância de transferência reversa			-	40	-
td(ON)	Tempo de atraso de ativação	VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Tempo de subida de ativação			-	6	-
td(DESLIGADO)	Tempo de atraso para desligar			-	33	-
t_f	Desligue o tempo de queda			-	30	-
Características de carga do portão ^3,4
Q_g	Carga total do portão	V_DS=30V, V_GS=4,5 V, eu_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	Carga total do portão	V_DS=30 V, V_GS=10V, I_DS=20A		-	27	-
Q_gth	Taxa de porta limite			-	4.1	-
Q_gs	Carga Gate-Fonte			-	5	-
Q_gd	Carga de drenagem de portão			-	4.2	-