WSD6040DN56 canal N 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD6040DN56 é 60V, a corrente é 36A, a resistência é 14mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
E-cigarros MOSFET, carregamento sem fio MOSFET, motores MOSFET, drones MOSFET, cuidados médicos MOSFET, carregadores de carro MOSFET, controladores MOSFET, produtos digitais MOSFET, pequenos eletrodomésticos MOSFET, eletrônicos de consumo MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semicondutor MOSFET PDC6964X.
Parâmetros MOSFET
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades | ||
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 60 | V | ||
| VGS | Tensão Gate-Fonte | ±20 | V | ||
| ID | Corrente de drenagem contínua | TC=25°C | 36 | A | |
| TC=100°C | 22 | ||||
| ID | Corrente de drenagem contínua | TA=25°C | 8.4 | A | |
| AT=100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Corrente de drenagem pulsada | TC=25°C | 140 | A | |
| PD | Dissipação Máxima de Potência | TC=25°C | 37,8 | W | |
| TC=100°C | 15.1 | ||||
| PD | Dissipação Máxima de Potência | TA=25°C | 2.08 | W | |
| AT=70°C | 1,33 | ||||
| IAS c | Corrente de avalanche, pulso único | L=0,5mH | 16 | A | |
| EASc | Energia de avalanche de pulso único | L=0,5mH | 64 | mJ | |
| IS | Corrente direta contínua de diodo | TC=25°C | 18 | A | |
| TJ | Temperatura máxima de junção | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Amplitude Térmica de armazenamento | -55 a 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Junção de resistência térmica ao ambiente | Curso estável | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Junção de Resistência Térmica ao Caso | Curso estável | 3.3 | ℃/W | |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade | |
| Estático | |||||||
| V(BR)DSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Corrente de drenagem de tensão de porta zero | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | μA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Corrente de fuga do portão | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Nas características | |||||||
| VGS(TH) | Tensão limite do portão | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1 | 1.6 | 2,5 | V | |
| RDS(ligado)d | Resistência no estado da fonte de drenagem | VGS = 10V, ID = 25A | 14 | 17,5 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 20A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Troca | |||||||
| Qg | Carga total do portão | VDS=30V VGS=10V ID=25A | 42 | nC | |||
| Perguntas frequentes | Carga Gate-Sour | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | 9.6 | nC | ||||
| td (ligado) | Tempo de atraso de ativação | VGEN=10V VDD=30V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Tempo de subida de ativação | 9 | ns | ||||
| td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | 58 | ns | ||||
| tf | Desligue o tempo de queda | 14 | ns | ||||
| Rg | Resistência ao gatilho | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1,5 | Ah | |||
| Dinâmico | |||||||
| Ciss | Em capacitância | VGS=0V VDS=30Vf=1MHz | 2100 | pF | |||
| Coss | Capacitância de saída | 140 | pF | ||||
| Crss | Capacitância de transferência reversa | 100 | pF | ||||
| Características do diodo de fonte de drenagem e classificações máximas | |||||||
| IS | Corrente de fonte contínua | VG = VD = 0V, corrente de força | 18 | A | |||
| ISM | Corrente de Fonte Pulsada3 | 35 | A | ||||
| DSVd | Tensão direta do diodo | ISD=20A, VGS=0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Tempo de recuperação reversa | ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| QR | Cobrança de recuperação reversa | 33 | nC | ||||
