WSD45N10GDN56 canal N 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD45N10GDN56 é 100V, a corrente é 45A, a resistência é 14,5mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
E-cigarros MOSFET, carregamento sem fio MOSFET, motores MOSFET, drones MOSFET, cuidados médicos MOSFET, carregadores de carro MOSFET, controladores MOSFET, produtos digitais MOSFET, pequenos eletrodomésticos MOSFET, eletrônicos de consumo MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semicondutor MOSFET PDC966X.
Parâmetros MOSFET
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 100 | V |
| VGS | Portão-Sourtensão | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS@10V | 45 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS@10V | 33 | A |
| ID@TA=25℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS@10V | 12 | A |
| ID@TA=70℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS@10V | 9.6 | A |
| IDMa | Corrente de drenagem pulsada | 130 | A |
| EASb | Energia de avalanche de pulso único | 169 | mJ |
| IASb | Corrente de Avalanche | 26 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipação total de energia | 95 | W |
| PD@TA=25℃ | Dissipação total de energia | 5,0 | W |
| TSTG | Amplitude Térmica de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS=0V, euD=250ua | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referência a 25℃, EUD=1mA | --- | 0,0 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO)d | Resistência estática da fonte de drenagem2 | VGS=10V, euD=26A | --- | 14,5 | 17,5 | mΩ |
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS=VDS, EUD=250ua | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| △VGS(º) | VGS(º)Coeficiente de temperatura | --- | -5 | mV/℃ | ||
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=80 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS=80 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | - | ±100 | nA |
| Rge | Resistência do portão | VDS=0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qge | Carga total do portão (10V) | VDS=50 V, VGS=10V, euD=26A | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | Carga Gate-Fonte | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Carga de drenagem de portão | --- | 12 | --- | ||
| Td(ligado)e | Tempo de atraso de ativação | VDD=30 V, VGER=10V,RG=6Ω ID=1A,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
| Três | Tempo de subida | --- | 9 | 17 | ||
| Td(desligado)e | Tempo de atraso para desligar | --- | 36 | 65 | ||
| Tfe | Tempo de outono | --- | 22 | 40 | ||
| Cissé | Capacitância de entrada | VDS=30 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| Cosse | Capacitância de saída | --- | 215 | --- | ||
| Crsse | Capacitância de transferência reversa | --- | 42 | --- |
