WSD4280DN22 canal P duplo -15V -4.6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD4280DN22 é -15V, a corrente é -4,6A, a resistência é 47mΩ, o canal é canal P duplo e o pacote é DFN2X2-6L.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
Chave de bloqueio bidirecional; Aplicações de conversão DC-DC; carregamento de bateria de lítio; MOSFET de cigarro eletrônico, MOSFET de carregamento sem fio, MOSFET de carregamento de carro, MOSFET controlador, MOSFET de produto digital, MOSFET de pequenos eletrodomésticos, MOSFET de eletrônicos de consumo.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
PANJIT MOSFET PJQ2815
Parâmetros MOSFET
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | -15 | V |
| VGS | Tensão Gate-Fonte | ±8 | V |
| ID@Tc=25℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS= -4,5V1 | -4,6 | A |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada de 300μS, (VGS=-4,5 V) | -15 | A |
| PD | Derating de dissipação de energia acima de TA = 25°C (Nota 2) | 1,9 | W |
| TSTG,TJ | Faixa de temperatura de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| RθJA | Resistência Térmica Junção-ambiente1 | 65 | ℃/W |
| RθJC | Caixa de junção de resistência térmica1 | 50 | ℃/W |
Características Elétricas (TJ=25 ℃, salvo indicação em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS=0V, euD=-250ua | -15 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referência a 25℃, euD=-1mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO) | Resistência estática da fonte de drenagem2 | VGS=-4,5 V, euD=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
| VGS=-2,5 V, euD=-1A | --- | 61 | 80 | |||
| VGS=-1,8 V, euD=-1A | --- | 90 | 150 | |||
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS=VDS, EUD=-250ua | -0,4 | -0,62 | -1,2 | V |
| △VGS(º) | VGS(º)Coeficiente de temperatura | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=-10 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-10 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutância direta | VDS=-5V, euD=-1A | --- | 10 | --- | S |
| Rg | Resistência do portão | VDS=0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | --- | Ah |
| Qg | Carga total do portão (-4,5V) | VDS=-10 V, VGS=-4,5 V, euD=-4,6A | --- | 9,5 | --- | nC |
| Qgs | Carga Gate-Fonte | --- | 1.4 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 2.3 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=-10V,VGS=-4,5 V, RG=1Ω ID=-3,9A, | --- | 15 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 16 | --- | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 30 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 10 | --- | ||
| Cisso | Capacitância de entrada | VDS=-10 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 98 | --- | ||
| Crsrs | Capacitância de transferência reversa | --- | 96 | --- |
