WSD4098 Canal N duplo 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

WSD4098 Dual N-Channel 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET Imagem em destaque

Pequena descrição:

Este é um banco de energia magnético sem fio que reconhece automaticamente os telefones Apple e não requer ativação de botão.Ele integra protocolos de carregamento rápido de entrada e saída 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC.É um produto de banco de energia sem fio compatível com conversores de aumento / redução síncronos de telefones celulares Apple / Samsung, gerenciamento de carregamento de bateria Li, indicação de energia de tubo digital, carregamento magnético sem fio e outras funções.

Número do modelo:WSD4098

BVDSS:40V

RDSON:7,8mΩ

EU IA:22A

Canal:Canal N duplo

Pacote:DFN5*6-8

Produto verão:A tensão do MOSFET WSD4098 é 40V, a corrente é22A, a resistência é 7,8mΩ, o canal é Dual N-Channel e o pacote é DFN5*6-8.

Formulários:Cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, drones, assistência médica, carregadores de carro, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo.

Envie um e-mail para nós PDF

Detalhes do produto

Aplicativo

Etiquetas de produto

Descrição geral

O WSD4098DN56 é o MOSFET Dual N-Ch de trincheira de mais alto desempenho com densidade de células extremamente alta, que fornece excelente RDSON e carga de porta para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono.O WSD4098DN56 atende aos requisitos RoHS e Produto Verde 100% EAS garantido com confiabilidade de função total aprovada.

Características

Tecnologia avançada de trincheira de alta densidade celular, carga de portão super baixa, excelente declínio de efeito CdV/dt, 100% EAS garantido, dispositivo verde disponível

Formulários

Ponto de carga síncrono de alta frequência, conversor Buck para MB / NB / UMPC / VGA, sistema de energia DC-DC de rede, interruptor de carga, cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, drones, cuidados médicos, carregadores de carro, controladores, digital produtos, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo.

número do material correspondente

AOS AON6884

Parâmetros importantes

Símbolo	Parâmetro		Avaliação	Unidade
Avaliações comuns
VDSS	Tensão de fonte de drenagem		40	V
VGSS	Tensão Gate-Fonte		±20	V
TJ	Temperatura máxima de junção		150	°C
TSTG	Amplitude Térmica de armazenamento		-55 a 150	°C
IS	Corrente direta contínua de diodo	TA=25°C	11.4	A
ID	Corrente de drenagem contínua	TA=25°C	22	A
ID	Corrente de drenagem contínua			A
		AT=70°C	22
Eu DM b	Corrente de drenagem de pulso testada	TA=25°C	88	A
PD	Dissipação Máxima de Potência	T.=25°C	25	W
PD	Dissipação Máxima de Potência	TC=70°C	10	W
RqJL	Junção de resistência térmica para chumbo	Curso estável	5	°C/W
RqJA	Resistência Térmica - Junção ao Ambiente	£ 10s	45	°C/W
RqJA	Resistência Térmica - Junção ao Ambiente	Estado estacionário b	90	°C/W
Eu como d	Corrente de avalanche, pulso único	L=0,5mH	28	A
E COMO d	Energia Avalanche, pulso único	L=0,5mH	39,2	mJ

Símbolo	Parâmetro	Condições de teste		Min.	Tipo.	Máx.	Unidade
Características estáticas
BVDSS	Tensão de ruptura da fonte de drenagem	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Corrente de drenagem de tensão de porta zero	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Corrente de drenagem de tensão de porta zero						mA
			TJ=85°C	-	-	30
VGS(º)	Tensão limite do portão	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1,8	2,5	V
IGSS	Corrente de fuga do portão	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
RDS(LIGADO) e	Resistência no estado da fonte de drenagem	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7,8	m W
RDS(LIGADO) e	Resistência no estado da fonte de drenagem	VGS = 4,5 V, IDS = 12 A		-	9,0	11	m W
Características do diodo
V SD e	Tensão direta do diodo	ISD=1A, VGS=0V		-	0,75	1.1	V
trr	Tempo de recuperação reversa	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	23	-	ns
QR	Cobrança de recuperação reversa	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	13	-	nC
Características Dinâmicas f
RG	Resistência do portão	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2,5	-	W
Ciss	Capacitância de entrada	VGS=0V, VDS=20V, Frequência = 1,0 MHz		-	1370	1781	pF
Coss	Capacitância de saída			-	317	-
Crss	Capacitância de transferência reversa			-	96	-
td(ON)	Tempo de atraso de ativação	VDD=20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13,8	-	ns
tr	Tempo de subida de ativação			-	8	-
td(DESLIGADO)	Tempo de atraso para desligar			-	30	-
tf	Desligue o tempo de queda			-	21	-
Características de carga do portão f
Qg	Carga total do portão	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	Carga total do portão	VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=6A		-	22	-
Qgth	Taxa de porta limite			-	2.6	-
Perguntas frequentes	Carga Gate-Fonte			-	4.7	-
Qgd	Carga de drenagem de portão			-	3	-