WSD4080DN56 canal N 40V 85A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produtos

WSD4080DN56 canal N 40V 85A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

breve descrição:

Número da peça:WSD4080DN56

BVDSS:40V

EU IA:85A

RDSON:4,5mΩ 

Canal:Canal N

Pacote:DFN5X6-8


Detalhes do produto

Aplicativo

Etiquetas de produto

Visão geral do produto WINSOK MOSFET

A tensão do MOSFET WSD4080DN56 é 40V, a corrente é 85A, a resistência é 4,5mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.

Áreas de aplicação WINSOK MOSFET

Pequenos aparelhos MOSFET, aparelhos portáteis MOSFET, motores MOSFET.

WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca

AOS MOSFET AON623.STMicroeletrônica MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Semicondutor MOSFET PDC496X.

Parâmetros MOSFET

Símbolo

Parâmetro

Avaliação

Unidades

VDS

Tensão de fonte de drenagem

40

V

VGS

Tensão Gate-Fonte

±20

V

ID@TC=25℃

Corrente de drenagem contínua, VGS @10V1

85

A

ID@TC=100℃

Corrente de drenagem contínua, VGS @10V1

58

A

IDM

Corrente de drenagem pulsada2

100

A

EAS

Energia de avalanche de pulso único3

110,5

mJ

IAS

Corrente de Avalanche

47

A

PDTC=25℃

Dissipação Total de Energia4

52.1

W

TSTG

Faixa de temperatura de armazenamento

-55 a 150

TJ

Faixa de temperatura de junção operacional

-55 a 150

RθJA

Junção de Resistência Térmica-Ambiente1

62

℃/W

RθJC

Caixa de junção de resistência térmica1

2.4

℃/W

 

Símbolo

Parâmetro

Condições

Min.

Tipo.

Máx.

Unidade

BVDSS

Tensão de ruptura da fonte de drenagem VGS = 0V, ID = 250ua

40

---

---

V

RDS(LIGADO)

Resistência estática da fonte de drenagem2 VGS = 10 V, ID = 10A

---

4,5

6,5

VGS = 4,5 V, ID = 5A

---

6.4

8,5

VGS(º)

Tensão limite do portão VGS = VDS, ID = 250uA

1,0

---

2,5

V

IDSS

Corrente de fuga da fonte de drenagem VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃

---

---

1

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃

---

---

5

IGSS

Corrente de fuga porta-fonte VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transcondutância direta VDS = 10 V, ID = 5A

---

27

---

S

Qg

Carga total do portão (4,5 V) VDS = 20 V, VGS = 4,5 V, ID = 10A

---

20

---

nC

Perguntas frequentes

Carga Gate-Fonte

---

5.8

---

Qgd

Carga de drenagem de portão

---

9,5

---

Td(ligado)

Tempo de atraso de ativação VDD=15V, VGS=10VRG=3,3ΩID=1A

---

15.2

---

ns

Tr

Tempo de subida

---

8.8

---

Td(desligado)

Tempo de atraso para desligar

---

74

---

Tf

Tempo de outono

---

7

---

Ciss

Capacitância de entrada VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz

---

2354

---

pF

Coss

Capacitância de saída

---

215

---

Crss

Capacitância de transferência reversa

---

175

---

IS

Corrente de fonte contínua1,5 VG=VD=0V, corrente de força

---

---

70

A

DSV

Tensão direta do diodo2 VGS = 0V, É = 1A, TJ = 25 ℃

---

---

1

V


  • Anterior:
  • Próximo:

  • Escreva aqui sua mensagem e envie para nós