WSD4080DN56 canal N 40V 85A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD4080DN56 é 40V, a corrente é 85A, a resistência é 4,5mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
MOSFET de pequenos eletrodomésticos, MOSFET de eletrodomésticos portáteis, MOSFET de motores.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
AOS MOSFET AON623.STMicroeletrônica MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Semicondutor MOSFET PDC496X.
Parâmetros MOSFET
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 40 | V |
| VGS | Portão-Sourtensão | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @10V1 | 85 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS @10V1 | 58 | A |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada2 | 100 | A |
| EAS | Energia de avalanche de pulso único3 | 110,5 | mJ |
| IAS | Corrente de Avalanche | 47 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipação total de energia4 | 52.1 | W |
| TSTG | Amplitude Térmica de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | ℃ |
| RθJA | Junção de Resistência Térmica-Ambiente1 | 62 | ℃/W |
| RθJC | Caixa de junção de resistência térmica1 | 2.4 | ℃/W |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS = 0V, ID = 250ua | 40 | --- | --- | V |
| RDS(LIGADO) | Resistência estática da fonte de drenagem2 | VGS = 10 V, ID = 10A | --- | 4,5 | 6,5 | mΩ |
| VGS = 4,5 V, ID = 5A | --- | 6.4 | 8,5 | |||
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS = VDS, ID = 250uA | 1,0 | --- | 2,5 | V |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutância direta | VDS = 10 V, ID = 5A | --- | 27 | --- | S |
| Qg | Carga total do portão (4,5V) | VDS = 20 V, VGS = 4,5 V, ID = 10A | --- | 20 | --- | nC |
| Perguntas frequentes | Carga Gate-Fonte | --- | 5.8 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 9,5 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=15V, VGS=10VRG=3,3Ω ID=1A | --- | 15.2 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 8.8 | --- | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 74 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 7 | --- | ||
| Ciss | Capacitância de entrada | VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 2354 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 215 | --- | ||
| Crss | Capacitância de transferência reversa | --- | 175 | --- | ||
| IS | Corrente de fonte contínua1,5 | VG=VD=0V, corrente de força | --- | --- | 70 | A |
| DSV | Tensão direta do diodo2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
